Controlling the indium oxide surface by hydrogen radical treatment and its applications

氢自由基处理控制氧化铟表面及其应用

基本信息

  • 批准号：
    16K06741
  • 负责人：
    Higurashi Eiji
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
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专利数量（0）
インジウムペーストの水素ラジカル処理による洗浄不要なバンプ作製
铟浆氢基处理无需清洗即可制作凸块
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kariya Shingo;Matsumae Takashi;KURASHIMA Yuichi;Takagi Hideki;Hayase Masanori;Higurashi Eiji
  • 通讯作者：
    Higurashi Eiji

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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    $ 3万
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{{ showInfoDetail.title }}

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