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Si quasi-nucleation with a nanometer dimension by soft X-ray irradiation onto amorphous Si and dynamics of low-temperature crystallization by excimer laser irradiation following the soft X-ray irradiation

Si quasi-nucleation with a nanometer dimension by soft X-ray irradiation onto amorphous Si and dynamics of low-temperature crystallization by excimer laser irradiation following the soft X-ray irradiation
通过软 X 射线照射非晶硅实现纳米尺寸的 Si 准成核，以及软 X 射线照射后通过准分子激光照射进行低温结晶动力学
批准号：
19560667
负责人：
MATSUO Naoto
金额：
$3.08万
依托单位：
University of Hyogo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560667/
关键词：
半導体物性エキシマ・レーザ低温結晶化レーザ・プラズマ軟X線二段階結晶化擬似結晶核薄膜トランジスタSiGepoly-Sia-Siダイナミクス柔軟型表示装置

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レーザ・プラズマ軟X線(LPX)照射+エキシマ・レーザ(ELA)照射による二段階結晶化プロセスを検討し, LPX照射がELAの結晶化臨界エネルギー密度を小さくするという結果を得た. これは, LPX照射による擬似結晶核の形成を強く示唆するものであり, LPX照射により作製したSi薄膜を分光光度計, 電子スピン共鳴(ESR), 及び, エリプソメトリーによる測定を行い, 透過率変化, スピン密度, 及び, a-Si膜の相変化を明らかにした. その結果, a-Si薄膜表面層に低密度領域の微量結晶化膜が形成されており, 且つ, 不対結合電子対の密度が約1/2になる事が判明した. LPX照射により擬似結晶核が形成されている. LPX照射単独による低温結晶化技術の開発に向け大きく前進した
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会议论文
Laser Plasma Soft X-Ray Irradiation onto a-Si Film Realizing Low-Temperature Crystal Growth
激光等离子体软X射线照射非晶硅薄膜实现低温晶体生长
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [N. Matsuo, Y. Takanashi, A. Heya, S. Isoda, K. Masuda, S. Amano, S. Miyamoto, T. Mochizuki]
通讯作者： T. Mochizuki
アンジュレータ光源を用いた軟X線励起によるa-Si膜中の原子移動
使用波荡器光源通过软 X 射线激发在非晶硅薄膜中进行原子迁移
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [高梨, 高田, 部家, 松尾, 神田]
通讯作者： 神田
Influence of Laser Plasma Soft X-Ray Irradiation on Nucleation of Crystal Grain in a-Si Film
激光等离子体软X射线辐照对a-Si薄膜晶粒成核的影响
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Takanashi, K. Masuda, A. Heya, S. Amano, S. Miy amoto, N. Matsuo and T. Mochizuki]
通讯作者： N. Matsuo and T. Mochizuki
レーザプラズマX 線とエキシマレーザを併用したa-Si 膜の低温結晶化
使用激光等离子体 X 射线和准分子激光进行非晶硅薄膜的低温结晶
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [高梨, 部家, 上拾石, 松尾, 天野, 宮本, 望月]
通讯作者： 望月
共 17 条
    Study on DNA memory device
    • 批准号：
      24656238
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      MATSUO Naoto
    • 依托单位：
      University of Hyogo
    Research of MOS-Type Single Election Transistor (SET) with Very Thin Dielectric Film
    • 批准号：
      10650310
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.18万
    • 财政年份：
      1998
    • 负责人：
      MATSUO Naoto
    • 依托单位：
      Yamaguchi University