Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.
Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.
溅射法硅化钴薄膜生长机理的理解及其在电子器件中的应用。
批准号：
19560764
负责人：
TSUJI Yoshiko
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
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英文摘要
MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。
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会议论文
Mechanism of CoSi_2/Si epitaxy andfabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi_2/Si
CoSi_2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi_2/Si制备工艺
CoSi_2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi_2/Si制备工艺
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Thin SolidFilms 516
影响因子：
--
作者：
[Y. Tsuji, M. Mizukami and S. Noda]
通讯作者：
M. Mizukami and S. Noda
電子デバイス用コバルトシリサイド薄膜の結晶成長の理解と制御
了解和控制电子器件用硅化钴薄膜的晶体生长
了解和控制电子器件用硅化钴薄膜的晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[辻由樹絵, 辻佳子, 野田優, 山口由岐夫]
通讯作者：
山口由岐夫
Mechanism of CoSi2/Si epitaxy and fabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi2/Si
CoSi2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi2/Si制备工艺
CoSi2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi2/Si制备工艺
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Thin Solid Films 516
影响因子：
--
作者：
[Y. Tsuji, M. Mizukami and S. Noda]
通讯作者：
M. Mizukami and S. Noda
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