Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.

溅射法硅化钴薄膜生长机理的理解及其在电子器件中的应用。

• 批准号: 19560764
• 负责人: TSUJI Yoshiko
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560764/
• 关键词: コバルトシリサイド; スパッタ; 結晶成長; 核発生と成長; 配向; 界面ラフネス; 半導体デバイス

MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。

The electrode and wiring materials of MOSFETs and LSI are widely used in thin films, and the reasons for the deterioration of the characteristics of thin films and CoSi_2 films (film thickness 30nm) are formed at low temperatures (<500℃). CoSi_2 polycrystalline film formation test, crystal growth and film structure formation test The electrical function of CoSi_2 electrode is evaluated, and the structure-function relationship is clarified.

项目成果

Mechanism of CoSi_2/Si epitaxy andfabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi_2/Si

CoSi_2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi_2/Si制备工艺

• 发表时间: 2008
• 期刊: Thin SolidFilms 516
• 作者: Y. Tsuji;M. Mizukami and S. Noda
• 通讯作者: M. Mizukami and S. Noda

電子デバイス用コバルトシリサイド薄膜の結晶成長の理解と制御

了解和控制电子器件用硅化钴薄膜的晶体生长

• 发表时间: 2008
• 作者: 辻由樹絵;辻佳子;野田優;山口由岐夫
• 通讯作者: 山口由岐夫

Mechanism of CoSi2/Si epitaxy and fabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi2/Si

CoSi2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi2/Si制备工艺

• 发表时间: 2008
• 期刊: Thin Solid Films 516
• 作者: Y. Tsuji;M. Mizukami and S. Noda
• 通讯作者: M. Mizukami and S. Noda