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Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.
溅射法硅化钴薄膜生长机理的理解及其在电子器件中的应用。
基本信息
- 批准号：19560764
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。
在硅化薄膜中，该薄膜被广泛用作MOSFET-LSI的电极和接线材料，一种COSI_2膜（30 nm厚），而没有硅化/绝缘膜界面粗糙度，导致晶体管特性的变化是在低温下形成的（<500°C）。在这里，我们试图通过同时形成CO和SI形成COSI_2多晶膜，并从晶体生长的角度理解膜结构形成机理。此外，评估COSI_2电极的电函数以阐明过程结构函数关系。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mechanism of CoSi_2/Si epitaxy andfabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi_2/Si
CoSi_2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi_2/Si制备工艺
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Tsuji;M. Mizukami and S. Noda
- 通讯作者：M. Mizukami and S. Noda
電子デバイス用コバルトシリサイド薄膜の結晶成長の理解と制御
了解和控制电子器件用硅化钴薄膜的晶体生长
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：辻由樹絵;辻佳子;野田優;山口由岐夫
- 通讯作者：山口由岐夫
Mechanism of CoSi2/Si epitaxy and fabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi2/Si
CoSi2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi2/Si制备工艺
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Tsuji;M. Mizukami and S. Noda
- 通讯作者：M. Mizukami and S. Noda
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TSUJI Yoshiko其他文献
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