Toward spin resolved measurement of local density of states by scanning tunneling microscopy
Toward spin resolved measurement of local density of states by scanning tunneling microscopy
批准号:
19740185
负责人:
SAGISAKA Keisuke
金额:
$1.76万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
固体表面の磁性およびスピン特性を原子分解能で検出するスピン偏極走査トンネル顕微鏡技術の確立を目指して、高品質の磁性薄膜試料及び磁性探針を作製するための基礎的な研究を行った。磁性探針の磁化方向を校正するために、タングステン(110)表面に1.5モノレイヤーの鉄原子を堆積した試料を作製した。その結果、鉄薄膜の磁化特性は基板タングステン表面の清浄度に強く依存することが判明した。また、単一磁性原子のスピン検出を行う基板にはアルミナ表面を作製するが、その予備実験として銅-アルミニウム合金表面の電子状態を明らかにした。
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Surface segregation of aluminum atoms on Cu-9 at.% Al(111) studied by Auger electron spectroscopy and low energy electron diffraction
表面%20偏析%20of%20铝%20原子%20on%20Cu-9%20at.%%20Al(111)%20研究%20by%20俄歇%20电子%20光谱%20和%20低%20能量%20电子%20衍射
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Surface Science 603
影响因子:
--
作者:
[Yinglmi Yu, Keisuke Sagisaka, and Daisuke Fujita]
通讯作者:
and Daisuke Fujita
Surface standing waves on Cu-9%Al (111)
表面%20站立%20波浪%20on%20Cu-9%Al%20(111)
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yinghui Yu, Keisuke Sagisaka, Daisuke Fujita]
通讯作者:
Daisuke Fujita
Surface segregation of aluminum atoms on Cu-9 at.%Al (111) studied by Auger electron spectroscopy and low energy electron diffraction
表面%20偏析%20of%20铝%20原子%20on%20Cu-9%20at.%Al%20(111)%20研究%20by%20俄歇%20电子%20光谱%20和%20低%20能量%20电子%20衍射
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Surface Science 603
影响因子:
--
作者:
[Yinghui Yu, Keisuke Sagisaka, and Daisuke Fujita]
通讯作者:
and Daisuke Fujita
Modification of surface electronic properties on alloy surfaces: Standing waves on a Cu- 9 at . % Al ( 111 ) surface observed by STM
改性%20of%20surface%20Electronic%20properties%20on%20alloy%20surfaces:%20Standing%20waves%20on%20a%20Cu-%209%20at%20.%20%%20Al%20(%20111%20)%20surface%
DOI:
10.1103/physrevb.79.235427
发表时间:
2009
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[Yinghui Yu, K. Sagisaka, D. Fujita]
通讯作者:
D. Fujita
Characterization of electronic structure of strained graphene by using strain field STM
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批准号:17K04985
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2017
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负责人:SAGISAKA Keisuke
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依托单位:
Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface
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批准号:24510160
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.49万
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财政年份:2012
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负责人:SAGISAKA Keisuke
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依托单位:
Probing a charge state of dopant atoms in silicon surfaces
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批准号:21760242
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2009
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负责人:SAGISAKA Keisuke
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依托单位:
海外基金