Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface

Si(100) 表面磷的电子结构和相互作用的研究

• 批准号: 24510160
• 负责人: SAGISAKA Keisuke
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24510160/
• 关键词: ドーパント; シリコン; 走査型トンネル顕微鏡; 第一原理計算; 走査トンネル分光; トンネル分光

项目成果

STMとDFTによるリン-シリコンヘテロダイマーの研究

STM和DFT研究磷硅异二聚体

• 发表时间: 2014
• 作者: Yutaka Noguchi;Hyunsoo Lim;Takashi Isoshima;Eisuke Ito;Masahiko Hara;Whee Won Chin;Jin Wook Han;Hiroumi Kinjo;Yusuke Ozawa;Yasuo Nakayama;and Hisao Ishii;Keisuke Sagisaka;鷺坂恵介
• 通讯作者: 鷺坂恵介

極低温・高磁場STMによる表面ナノ物性計測

使用低温和高磁场 STM 测量表面纳米物理性质

• 发表时间: 2015
• 作者: 鷺坂恵介;艸分倫子;藤田大介
• 通讯作者: 藤田大介

STM study of phosphorus on Si(100) surface

Si(100)表面磷的STM研究

• 发表时间: 2012
• 作者: Keisuke Sagisaka;Daisuke Fujita;David Bowler
• 通讯作者: David Bowler

Adsorption of phosphorus molecules evaporated from an InP solid source on the Si(100) surface

从 InP 固体源蒸发的磷分子在 Si(100) 表面上的吸附

• DOI: 10.1103/physrevb.87.155316
• 发表时间: 2013
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Keisuke Sagisaka;Michael Marz;Daisuke Fujita;and David Bowler
• 通讯作者: and David Bowler

Adsorption of phosphorus on Si(100) studied by STM and DFT

STM 和 DFT 研究磷在 Si(100) 上的吸附

• 发表时间: 2014
• 作者: Yutaka Noguchi;Hyunsoo Lim;Takashi Isoshima;Eisuke Ito;Masahiko Hara;Whee Won Chin;Jin Wook Han;Hiroumi Kinjo;Yusuke Ozawa;Yasuo Nakayama;and Hisao Ishii;Keisuke Sagisaka
• 通讯作者: Keisuke Sagisaka