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Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface

Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface
Si(100) 表面磷的电子结构和相互作用的研究
批准号:
24510160
负责人:
SAGISAKA Keisuke
金额:
$3.49万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31

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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [Yutaka Noguchi, Hyunsoo Lim, Takashi Isoshima, Eisuke Ito, Masahiko Hara, Whee Won Chin, Jin Wook Han, Hiroumi Kinjo, Yusuke Ozawa, Yasuo Nakayama, and Hisao Ishii, Keisuke Sagisaka, 鷺坂恵介]
通讯作者: 鷺坂恵介
極低温・高磁場STMによる表面ナノ物性計測
使用低温和高磁场 STM 测量表面纳米物理性质
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [鷺坂恵介, 艸分倫子, 藤田大介]
通讯作者: 藤田大介
STM study of phosphorus on Si(100) surface
Si(100)表面磷的STM研究
DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者: [Keisuke Sagisaka, Daisuke Fujita, David Bowler]
通讯作者: David Bowler
Adsorption of phosphorus molecules evaporated from an InP solid source on the Si(100) surface
从 InP 固体源蒸发的磷分子在 Si(100) 表面上的吸附
DOI: 10.1103/physrevb.87.155316
发表时间: 2013
期刊: Physical Review B
影响因子: 3.7
作者: [Keisuke Sagisaka, Michael Marz, Daisuke Fujita, and David Bowler]
通讯作者: and David Bowler
Characterization of electronic structure of strained graphene by using strain field STM
  • 批准号:
    17K04985
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $3.0万
  • 财政年份:
    2017
  • 负责人:
    SAGISAKA Keisuke
  • 依托单位:
Probing a charge state of dopant atoms in silicon surfaces
  • 批准号:
    21760242
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $3.0万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    SAGISAKA Keisuke
  • 依托单位:
Toward spin resolved measurement of local density of states by scanning tunneling microscopy
  • 批准号:
    19740185
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $1.76万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    SAGISAKA Keisuke
  • 依托单位:
海外基金