Characterization of electronic structure of strained graphene by using strain field STM
利用应变场 STM 表征应变石墨烯的电子结构
基本信息
- 批准号:17K04985
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Si(111)-√7×√3-In 表面における静電遮蔽効果の STM 観測
Si(111)-√7×√3-In表面静电屏蔽效应的STM观察
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉澤 俊介;鷺坂 恵介;藤田 大介;内橋 隆
- 通讯作者:内橋 隆
Si(111)-(√7×√3)-In 表面における一軸性格子不整合の実空間 観測
Si(111)-(√7×√3)-In表面单轴晶格失配的实空间观测
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉澤俊介;鷺坂 恵介;藤田 大介;内橋隆
- 通讯作者:内橋隆
走査型プローブ顕微鏡による半導体点欠陥の観察
使用扫描探针显微镜观察半导体点缺陷
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Yamazaki;K. Higuchi;H. Shimada;and Y. Mizugaki;坪井 泰之;岩松翼・稲川有徳・上原伸夫;鷺坂 恵介
- 通讯作者:鷺坂 恵介
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SAGISAKA Keisuke其他文献
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Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface
Si(100) 表面磷的电子结构和相互作用的研究
- 批准号:
24510160 - 财政年份:2012
- 资助金额:
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Probing a charge state of dopant atoms in silicon surfaces
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$ 3万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
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マイクロ波走査型トンネル顕微鏡の開発
微波扫描隧道显微镜的研制
- 批准号:
16760028 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
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- 批准号:
02J10181 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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使用扫描隧道显微镜观察低温磁场中有机超导体的局部状态
- 批准号:
14740373 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
走査型トンネル顕微鏡による123系銅酸化物の超伝導と電子状態の研究
扫描隧道显微镜研究123系铜酸盐的超导性和电子态
- 批准号:
14038206 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas