Characterization of electronic structure of strained graphene by using strain field STM
Characterization of electronic structure of strained graphene by using strain field STM
利用应变场 STM 表征应变石墨烯的电子结构
批准号：
17K04985
负责人：
SAGISAKA Keisuke
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Si(111)-√7×√3-In 表面における静電遮蔽効果の STM 観測
Si(111)-√7×√3-In表面静电屏蔽效应的STM观察
Si(111)-√7×√3-In表面静电屏蔽效应的STM观察
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉澤 俊介, 鷺坂 恵介, 藤田 大介, 内橋 隆]
通讯作者：
内橋 隆
窒化ガリウム（GaN)表面のSTM観察
氮化镓 (GaN) 表面的 STM 观察
氮化镓 (GaN) 表面的 STM 观察
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中村 友謙, 石田 暢之, 鷺坂 恵介]
通讯作者：
鷺坂 恵介
KPFMによる窒化ガリウムpn接合の観察
KPFM观察氮化镓p-n结
KPFM观察氮化镓p-n结
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中村 友謙, 石田 暢之, 鷺坂 恵介]
通讯作者：
鷺坂 恵介
Si(111)-(√7×√3)-In 表面における一軸性格子不整合の実空間 観測
Si(111)-(√7×√3)-In表面单轴晶格失配的实空间观测
Si(111)-(√7×√3)-In表面单轴晶格失配的实空间观测
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉澤俊介, 鷺坂 恵介, 藤田 大介, 内橋隆]
通讯作者：
内橋隆
走査型プローブ顕微鏡による半導体点欠陥の観察
使用扫描探针显微镜观察半导体点缺陷
使用扫描探针显微镜观察半导体点缺陷
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Yamazaki, K. Higuchi, H. Shimada, and Y. Mizugaki, 坪井 泰之, 岩松翼・稲川有徳・上原伸夫, 鷺坂 恵介]
通讯作者：
鷺坂 恵介
共 14 条
Investigation of electronic structure and interaction of phosphorous incorporated in the Si(100) surface
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批准号：24510160
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.49万
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财政年份：2012
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负责人：SAGISAKA Keisuke
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依托单位：
Probing a charge state of dopant atoms in silicon surfaces
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批准号：21760242
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2009
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负责人：SAGISAKA Keisuke
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依托单位：
Toward spin resolved measurement of local density of states by scanning tunneling microscopy
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批准号：19740185
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.76万
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财政年份：2007
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负责人：SAGISAKA Keisuke
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依托单位：
海外基金