Development of air stable n-type organic FET using hetero-layered structure
Development of air stable n-type organic FET using hetero-layered structure
利用异质层结构开发空气稳定n型有机FET
批准号：
19750156
负责人：
NAKAYAMA Ken-ichi
金额：
$2.2万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
ホール輸送生材料とn型有機半導体層を積層した「ヘテロ積層型構造」を用いることで、n型FET変調が大気下で極めて安定に観測されることを見いだし、そのメカニズム解明および高性能化のための検討を行った。その結果、本手法がフラーレンを始めとするn型有機FET全般に対して有効であることを見いだした。また、大気下安定性が、高いHOMO準位を持つ界面層からn型チャネル層への電子供与に基づく、トラップ充填に由来することを明らかにした。
英文摘要
ホール輸送生材料とn型有機半導体層を積層した「ヘテロ積層型構造」を用いることで、n型FET変調が大気下で極めて安定に観測されることを見いだし、そのメカニズム解明および高性能化のための検討を行った。その結果、本手法がフラーレンを始めとするn型有機FET全般に対して有効であることを見いだした。また、大気下安定性が、高いHOMO準位を持つ界面層からn型チャネル層への電子供与に基づく、トラップ充填に由来することを明らかにした。
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Mobility Improvement in N-type Organic FET with Hetero-Layered Structure
异质层结构 N 型有机 FET 的迁移率改进
异质层结构 N 型有机 FET 的迁移率改进
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Mol. Cryst. Liq. Cryst. 504
影响因子：
--
作者：
[T. Kusunoki, K. Nakayama, Y. J. Pu, J. Kido]
通讯作者：
J. Kido
Mobility improvement in n-type organic FET with hetero layered structure
异质层结构n型有机FET的迁移率改善
异质层结构n型有机FET的迁移率改善
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kusunoki, K. Nakayama, Y. J. Pu, J. Kido]
通讯作者：
J. Kido
DOI：
10.1143/apex.2.021501
发表时间：
2009-02
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[K. Nakayama;Motomi Ishikawa;M. Yokoyama]
通讯作者：
K. Nakayama;Motomi Ishikawa;M. Yokoyama
DOI：
10.1021/ol7029678
发表时间：
2008-03-06
期刊：
ORGANIC LETTERS
影响因子：
5.2
作者：
[Le, Yutaka, Umemoto, Yoshikazu, Aso, Yoshio]
通讯作者：
Aso, Yoshio
Development of a novel measurement method for anisotropy of carrier mobility in organic semiconductors
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批准号：24655164
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.16万
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财政年份：2012
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负责人：NAKAYAMA Ken-ichi
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依托单位：
Carrier transport at the organic hetero interface for air-stable n-type organic field-effect transistors
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批准号：22750166
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2010
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负责人：NAKAYAMA Ken-ichi
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依托单位：
海外基金