Development of air stable n-type organic FET using hetero-layered structure

利用异质层结构开发空气稳定n型有机FET

• 批准号: 19750156
• 负责人: NAKAYAMA Ken-ichi
• 金额: $ 2.2万
• 依托单位: Yamagata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19750156/
• 关键词: 有機トランジスタ; 有機FET; 大気化安定; n型; フラーレン; 大気下安定; 有機半導体

ホール輸送生材料とn型有機半導体層を積層した「ヘテロ積層型構造」を用いることで、n型FET変調が大気下で極めて安定に観測されることを見いだし、そのメカニズム解明および高性能化のための検討を行った。その結果、本手法がフラーレンを始めとするn型有機FET全般に対して有効であることを見いだした。また、大気下安定性が、高いHOMO準位を持つ界面層からn型チャネル層への電子供与に基づく、トラップ充填に由来することを明らかにした。

The n-type organic semiconductor layer and the n-type organic semiconductor layer are stacked together, and the n-type FET is adjusted to a high temperature, a stable electrode, and a high performance solution. As a result, this method has been used for all kinds of n-type organic FETs. The electron supply of the n-type electron layer and the electron supply of the electron layer and the

项目成果

Mobility Improvement in N-type Organic FET with Hetero-Layered Structure

异质层结构 N 型有机 FET 的迁移率改进

• 发表时间: 2009
• 期刊: Mol. Cryst. Liq. Cryst. 504
• 作者: T. Kusunoki;K. Nakayama;Y. J. Pu;J. Kido
• 通讯作者: J. Kido

Mobility improvement in n-type organic FET with hetero layered structure

异质层结构n型有机FET的迁移率改善

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Kusunoki;K. Nakayama;Y. J. Pu;J. Kido
• 通讯作者: J. Kido

Improvement in Mobility and Stability of n-Type Organic Field-Effect Transistors with a Hole Transporting Interfacial Layer

• DOI: 10.1143/apex.2.021501
• 发表时间: 2009-02
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: K. Nakayama;Motomi Ishikawa;M. Yokoyama

Electronegative oligothiophenes based on difluorodioxocyclopentene-annelated thiophenes: Synthesis, properties, and n-type FET performances

• DOI: 10.1021/ol7029678
• 发表时间: 2008-03-06
• 期刊: ORGANIC LETTERS
• 影响因子: 5.2
• 作者: Le, Yutaka;Umemoto, Yoshikazu;Aso, Yoshio
• 通讯作者: Aso, Yoshio