Development of the high stability and high resolution CdTe radiation detector by the control of the CdTe crystal surface
Development of the high stability and high resolution CdTe radiation detector by the control of the CdTe crystal surface
通过CdTe晶体表面控制开发高稳定性、高分辨率的CdTe辐射探测器
批准号：
19760050
负责人：
YAMAZATO Masaaki
金额：
$2.25万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
本研究では,CdTe半導体の結晶表面制御技術と電極形成技術の研究開発を行った.従来,Inがショットキー電極として用いられてきたが,Alがショットキー電極として用いて素子を作製した.その結果,241Amからの放射線計測において,半値幅が1.5keV程度と高分解能素子の作製に成功し,Inと同等以上の特性が得られることを示した.また,Heプラズマによる表面処理及び硫黄処理を行うことにより,ポラリゼーション現象が大きく改善され,従来3時間程度の連続計測しか行えなかったものが,20時間の連続計測が可能になることを示した.また,Alを電極として用いることにより,In電極の時には難しかった電極分割が可能となり,素子のピクセル化が容易になることを明らかにした.さらに,Tiもショットキー電極として有効であることを示した.本研究で得られたこれらの表面処理及び電極作製技術の成果は,CdTe放射線検出素子の作製プロセスにおいて,基盤的な技術になるものと考えている.
英文摘要
本研究では,CdTe半導体の結晶表面制御技術と電極形成技術の研究開発を行った.従来,Inがショットキー電極として用いられてきたが,Alがショットキー電極として用いて素子を作製した.その結果,241Amからの放射線計測において,半値幅が1.5keV程度と高分解能素子の作製に成功し,Inと同等以上の特性が得られることを示した.また,Heプラズマによる表面処理及び硫黄処理を行うことにより,ポラリゼーション現象が大きく改善され,従来3時間程度の連続計測しか行えなかったものが,20時間の連続計測が可能になることを示した.また,Alを電極として用いることにより,In電極の時には難しかった電極分割が可能となり,素子のピクセル化が容易になることを明らかにした.さらに,Tiもショットキー電極として有効であることを示した.本研究で得られたこれらの表面処理及び電極作製技術の成果は,CdTe放射線検出素子の作製プロセスにおいて,基盤的な技術になるものと考えている.
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CdTe(111)Te面上へのA1ショットキー電極形成における硫黄処理の効果(II)
硫处理对 CdTe(111)Te 表面 A1 肖特基电极形成的影响 (II)
硫处理对 CdTe(111)Te 表面 A1 肖特基电极形成的影响 (II)
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山入端 悟, 山内 徹也, 山里将朗, 大野良一, 比嘉 晃]
通讯作者：
比嘉 晃
Ryoichi Ohno and Akira Higa : "Effect of Sulfur Treatment on the ・-ray Detection Quality of Al/CdTe/Pt Schottky Diode"
Ryoichi Ohno 和 Akira Higa：“硫处理对 Al/CdTe/Pt 肖特基二极管的·射线检测质量的影响”
Ryoichi Ohno 和 Akira Higa：“硫处理对 Al/CdTe/Pt 肖特基二极管的·射线检测质量的影响”
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record
影响因子：
--
作者：
[Masaaki Yamazato, Tetsuya Yamauchi]
通讯作者：
Tetsuya Yamauchi
CdTe(111)Te面上へのAlショットキー電極形成における硫黄処理の効果
硫处理对 CdTe(111)Te 表面 Al 肖特基电极形成的影响
硫处理对 CdTe(111)Te 表面 Al 肖特基电极形成的影响
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山入端 悟, 山内 徹也, 山里将朗, 大野良一, 比嘉 晃, 山入端悟,山内英,山里将朗,大野良一,比嘉晃]
通讯作者：
山入端悟,山内英,山里将朗,大野良一,比嘉晃
Effect of Sulfur Treatment on the r-ray Detection Quality of Al/CdTe/Pt Schottky Diode
硫处理对Al/CdTe/Pt肖特基二极管r射线检测质量的影响
硫处理对Al/CdTe/Pt肖特基二极管r射线检测质量的影响
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record R12
影响因子：
--
作者：
[Masaaki Yamazato, Tetsuya Yamauchi, Masaaki Yamazato]
通讯作者：
Masaaki Yamazato
Properties of Al Schottky Contacts on CdTe(111)Cd Surface Treated by He and H2 Plasmas
He 和 H2 等离子体处理的 CdTe(111)Cd 表面 Al 肖特基接触特性
He 和 H2 等离子体处理的 CdTe(111)Cd 表面 Al 肖特基接触特性
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.46
影响因子：
--
作者：
[Akira Higa, Ikumi Owan, Hiroyuki Toyama, Masaaki Yamazato, Ryoichi Ohno, and Minoru Toguchi]
通讯作者：
and Minoru Toguchi
共 14 条
Preparation of high-resolution radiation detector by the control of CdTe-metal interface states
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批准号：24560061
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.49万
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财政年份：2012
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负责人：YAMAZATO Masaaki
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依托单位：
Development of polarization-free CdTe radiation detector
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批准号：21760051
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2009
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负责人：YAMAZATO Masaaki
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依托单位：
海外基金