Development of the high stability and high resolution CdTe radiation detector by the control of the CdTe crystal surface

通过CdTe晶体表面控制开发高稳定性、高分辨率的CdTe辐射探测器

• 批准号: 19760050
• 负责人: YAMAZATO Masaaki
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: University of the Ryukyus
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760050/
• 关键词: 放射線; X線; 粒子線; 電子デバイス・機器; 電子・電気材料; 放射線検出素子; テルル化カドミウム; 表面処理; プラズマ表面処理; ショットキー電極

本研究では,CdTe半導体の結晶表面制御技術と電極形成技術の研究開発を行った.従来,Inがショットキー電極として用いられてきたが,Alがショットキー電極として用いて素子を作製した.その結果,241Amからの放射線計測において,半値幅が1.5keV程度と高分解能素子の作製に成功し,Inと同等以上の特性が得られることを示した.また,Heプラズマによる表面処理及び硫黄処理を行うことにより,ポラリゼーション現象が大きく改善され,従来3時間程度の連続計測しか行えなかったものが,20時間の連続計測が可能になることを示した.また,Alを電極として用いることにより,In電極の時には難しかった電極分割が可能となり,素子のピクセル化が容易になることを明らかにした.さらに,Tiもショットキー電極として有効であることを示した.本研究で得られたこれらの表面処理及び電極作製技術の成果は,CdTe放射線検出素子の作製プロセスにおいて,基盤的な技術になるものと考えている.

This research is aimed at the development of CdTe semiconductor crystal surface fabrication technology and electrode formation technology. In the future,In order to improve the quality of the electrode,Al should be added to the electrode. As a result, the radiation measurement of 241Am was successful, and the half-value amplitude was 1.5 keV. The surface treatment and sulfur treatment of He Pao Pao Pao In the case of Al electrode, it is difficult to divide the electrode into two parts. In the meantime, the Ti electrode has been removed. In this study, we have obtained the results of surface treatment and electrode fabrication technology of CdTe radiation detector, and the results of substrate fabrication technology.

项目成果

CdTe(111)Te面上へのA1ショットキー電極形成における硫黄処理の効果(II)

硫处理对 CdTe(111)Te 表面 A1 肖特基电极形成的影响 (II)

• 发表时间: 2008
• 作者: 山入端 悟;山内 徹也;山里将朗;大野良一;比嘉 晃
• 通讯作者: 比嘉 晃

Ryoichi Ohno and Akira Higa : "Effect of Sulfur Treatment on the ・-ray Detection Quality of Al/CdTe/Pt Schottky Diode"

Ryoichi Ohno 和 Akira Higa：“硫处理对 Al/CdTe/Pt 肖特基二极管的·射线检测质量的影响”

• 发表时间: 2008
• 期刊: 2008 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record
• 作者: Masaaki Yamazato;Tetsuya Yamauchi
• 通讯作者: Tetsuya Yamauchi

CdTe(111)Te面上へのAlショットキー電極形成における硫黄処理の効果

硫处理对 CdTe(111)Te 表面 Al 肖特基电极形成的影响

• 发表时间: 2007
• 作者: 山入端 悟;山内 徹也;山里将朗;大野良一;比嘉 晃;山入端悟,山内英,山里将朗,大野良一,比嘉晃
• 通讯作者: 山入端悟,山内英,山里将朗,大野良一,比嘉晃

Effect of Sulfur Treatment on the r-ray Detection Quality of Al/CdTe/Pt Schottky Diode

硫处理对Al/CdTe/Pt肖特基二极管r射线检测质量的影响

• 发表时间: 2008
• 期刊: 2008 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record R12
• 作者: Masaaki Yamazato;Tetsuya Yamauchi;Masaaki Yamazato
• 通讯作者: Masaaki Yamazato

Properties of Al Schottky Contacts on CdTe(111)Cd Surface Treated by He and H2 Plasmas

He 和 H2 等离子体处理的 CdTe(111)Cd 表面 Al 肖特基接触特性

• 发表时间: 2007
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.46
• 作者: Akira Higa;Ikumi Owan;Hiroyuki Toyama;Masaaki Yamazato;Ryoichi Ohno;and Minoru Toguchi
• 通讯作者: and Minoru Toguchi