Development of polarization-free CdTe radiation detector

无偏振CdTe辐射探测器的研制

• 批准号: 21760051
• 负责人: YAMAZATO Masaaki
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: University of the Ryukyus
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760051/
• 关键词: 放射線; X線; 粒子線; 電子デバイス・機器; 電子・電気材料; 放射線,X線,粒子線; 電子デバイハ; 電子機器; 電子材料; 電気材料

This research is the improvement of the polarization phenomenon for the Schottky type CdTe radiation detector. Aluminum, titanium and nickel were used for the Schottky electrode for the CdTe; and the Al/CdTe/Pt, Ti/CdTe/Pt, and Ni/CdTe/Pt Schottky diodes were fabricated. All these diodes showed the excellent electrical property and the high quality of g-ray radiation detection compared with the commercial In/CdTe/Pt diode. Polarization phenomenon was drastically improved by the sulfur treatment of CdTe surface, and the long-time measurement (about 1day) of γ-ray radiation was achieved. Furthermore, we investigated the passivation film for CdTe radiation detector. Amorphous carbon films showed enough electrical properties (high electrical resistivity and low permittivity) for the insulation between electrodes, and that is a promising candidate of the insulative passivation film for CdTe radiation detector.

本研究是对肖特基型碲化镉辐射探测器极化现象的改进。采用铝、钛和镍作为CdTe的肖特基电极；制备了Al/CdTe/Pt、Ti/CdTe/Pt和Ni/CdTe/Pt肖特基二极管。与商用In/CdTe/Pt二极管相比，这些二极管具有优异的电学性能和高质量的g射线辐射检测。对CdTe表面进行硫处理后，极化现象明显改善，并实现了γ射线辐射的长时间测量（约1d）。此外，我们还研究了CdTe辐射探测器的钝化膜。非晶态碳膜具有较高的电阻率和较低的介电常数，可用于电极间的绝缘，是一种很有前途的CdTe辐射探测器绝缘钝化膜。

项目成果

テルル化カドミウム結晶上へのTiショットキー電極の形成(II)

碲化镉晶体上Ti肖特基电极的形成（II）

• 发表时间: 2009
• 作者: 山里将朗;比嘉晃;渡久地實;大湾育美;大野良一;山内徹也,高良朝一郎,山里将朗,大野良一,比嘉晃;高良朝一郎,山里将朗,大野良一,比嘉晃
• 通讯作者: 高良朝一郎,山里将朗,大野良一,比嘉晃

CdTe結晶上へのショットキー電極形成における熱処理の効果(II)

热处理对CdTe晶体肖特基电极形成的影响（二）

• 发表时间: 2010
• 作者: 渡慶次高也;山内徹也;藤本誠也;山里将朗;大野良一;比嘉晃
• 通讯作者: 比嘉晃

CdTe(111)Cd面およびTe面上へのAlショットキー電極形成における硫黄処理の効果(II)

硫处理对 CdTe(111)Cd 和 Te 表面 Al 肖特基电极形成的影响 (II)

• 发表时间: 2009
• 作者: 山里将朗;比嘉晃;渡久地實;大湾育美;大野良一;山内徹也,高良朝一郎,山里将朗,大野良一,比嘉晃
• 通讯作者: 山内徹也,高良朝一郎,山里将朗,大野良一,比嘉晃

RFマグネトロンスパッタリング法によるアモルファス窒化炭素薄膜の合成

射频磁控溅射法合成非晶氮化碳薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 長岡康仁;山里将朗;比嘉晃
• 通讯作者: 比嘉晃

CdTe結晶上へのTiショットキー電極形成(III)

CdTe晶体上Ti肖特基电极的形成（III）

• 发表时间: 2010
• 作者: 高良正人;比嘉晃;大野良一;山里将朗;高良朝一郎
• 通讯作者: 高良朝一郎