Fabrication of ordered array structure using strained one-dimensional structure of Si(110)

利用Si(110)应变一维结构制造有序阵列结构

• 批准号: 20310064
• 负责人: ASAOKA Hidehito
• 金额: $ 12.15万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20310064/
• 关键词: ナノ構造形成; 制御; 結晶成長; 表面・界面物性; ナノ材料

The well-controlled surface preparation method for Si(110) template, the surface kinetics, and the surface stress for fabrication of low-dimensional nanostructures were investigated. As a result, we obtained well-defined single domain of Ge(110)-16×2 and Si(110)-16×2 surfaces and found the alignment of C_<60> to the stable adsorption sites for realizing the one-dimensional structure. These results indicate the guideline to achieve well-ordered functional nanostructure on the templates.

研究了Si(110)模板的可控表面制备方法、制备低维纳米结构所需的表面动力学和表面应力。结果，我们得到了明确的Ge(110)-16×2和Si(110)-16×2表面的单一结构域，并发现C&lt；60&gt；是实现一维结构的稳定吸附中心。这些结果表明了在模板上实现有序的功能纳米结构的指导思想。

项目成果

Spherical Nanoparticle Effects on Atomic Pair Distribution Function

球形纳米颗粒对原子对分布函数的影响

• 发表时间: 2010
• 期刊: J.Phys.Soc.Jpn. 79
• 作者: Shin-ichi Shamoto

Si(110) 16x2表面の制御

Si(110) 16x2 表面的控制

• 发表时间: 2009
• 作者: Hiroshi Yukawa;他12人;朝岡秀人
• 通讯作者: 朝岡秀人

格子不整合Sr/H-Si(111)ヘテロエピ界面の中性子反射率測定

晶格失配Sr/H-Si(111)异质外延界面的中子反射率测量

• 发表时间: 2009
• 作者: 山崎竜也;et al.
• 通讯作者: et al.

中性子反射率測定によるSr/H-Si(111)ヘテロエピ界面構造の解析

中子反射测量分析Sr/H-Si(111)异质外延界面结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 山崎竜也;et al.
• 通讯作者: et al.

Si(110)表面の一次元ナノ構造及びその製造方法

Si(110)表面一维纳米结构及其制备方法

• 发表时间: 2008