Control of weakly localized states in semiconductor quantum structures through modification of roughness and composition in the barrier layers

通过改变势垒层的粗糙度和成分来控制半导体量子结构中的弱局域态

• 批准号: 20360021
• 负责人: SAIKI Toshiharu
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Keio University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360021/
• 关键词: 量子井戸; 量子ドット; 濡れ層; 波動関数; 界面揺らぎ; 組成揺らぎ; 局在状能; 近接場光学顕微鏡; 活性化エネルギー; 局在状態; 界面物性; 励起子; 磁気発光分光

Near-field photoluminescence imaging spectroscopy of the wetting layer of InAs/InP quantum dot (QD) at the critical thickness (2.4 monolayer (ML)) was conducted to visualize spatial variation in interface disorder. Compared to the result obtained from an InAs/InP quantum well (2 ML thickness), the density of carrier localization center in the wetting layer was found to be significantly reduced, preferably in the vicinity of QDs. The result indicates that short-range interface disorder was smoothed out at the beginning of QD formation. To the contrary, far apart from the QDs, atomic scale disorder still remained.

近场光致发光成像光谱的浸润层的InAs/InP量子点（QD）在临界厚度（2.4单层（ML））进行可视化的空间变化的界面无序。与从InAs/InP量子阱（2 ML厚度）获得的结果相比，发现润湿层中的载流子局域化中心的密度显著降低，优选地在QD附近。结果表明，在量子点形成之初，短程界面无序被平滑。相反，远离量子点，原子尺度的无序仍然存在。

项目成果

Visualization of Space Charge Field Effect on Excitons in a GaAs Quantum Dot by Near-Field Optical Wavefunction Mapping

通过近场光波函数映射可视化 GaAs 量子点中激子的空间电荷场效应

• 发表时间: 2009
• 期刊: Opt.Rev. 16
• 作者: Y.Sugimoto;N.Tsumori;S.Nomura;T.Saiki
• 通讯作者: T.Saiki

近接場光学顕微鏡による励起子波動関数マッピングの原理とその応用

近场光学显微镜激子波函数绘图原理及其应用

• 发表时间: 2010
• 作者: S.Kawai;N.Sasaki;H.Kawakatsu;Seung-yul Lee;斎木敏治
• 通讯作者: 斎木敏治

Low Density InAs Quantum Dots Grown on InP(001) by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy Applying Post Growth Annealing Process

采用生长后退火工艺在 InP(001) 上采用固源分子束外延生长低密度 InAs 量子点

• 发表时间: 2010
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 49(掲載確定)
• 作者: R.Kubota;T.Saiki;P.Regreny;A.Benamrouche;M.Gendry
• 通讯作者: M.Gendry

Visualization of Confinement Potentials of Semiconductor Quantum Structures by Near-Field Optical Mapping of Exciton Wavefunction

通过激子波函数的近场光学映射来可视化半导体量子结构的约束势

• 发表时间: 2008
• 作者: T.Saiki;Y.Sugimoto
• 通讯作者: Y.Sugimoto

近接場光のセンシング・イメージング技術への応用

近场光在传感和成像技术中的应用

• 发表时间: 2010
• 作者: Yinlai Jiang;Shuoyu Wang;Renpeng Tan;Kenji Ishida;Takeshi Ando;Masakatsu G.Fujie;荒木勉
• 通讯作者: 荒木勉