Real-Time Scanning Tunneling Microscopy of Nano-Scale Surface Modification by Dopant Ion Irradiation

掺杂离子辐照纳米级表面改性的实时扫描隧道显微镜

• 批准号: 20360023
• 负责人: OHDOMARI Iwao
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360023/
• 关键词: ナノ構造物性; ナノ表面・界面; ナノ構造作製; ナノ計測; ナノ物性制御

A scanning tunneling microscope system has been developed to observe in real-time the surface modification induced by ion irradiation for the purpose of understanding atomistic behaviors of implanted dopant atoms in nano-scale semiconductor devices. We have succeeded in imaging the formation and annihilation processes of ion-induced structures on thermally treated and passivated silicon surfaces. Basic studies have also been performed experimentally and by using computer simulations on electronic conduction mechanisms in future nano-scale three-dimensional devices.

为了了解纳米尺度半导体器件中注入掺杂原子的原子行为，研制了一套扫描隧道显微镜系统，用于实时观察离子辐照引起的表面改性。我们已经成功地成像的热处理和钝化硅表面上的离子诱导结构的形成和湮灭过程。还通过实验和计算机模拟对未来纳米级三维器件中的电子传导机制进行了基础研究。

项目成果

離散的ドーパント位置のデバイス特性に及ぼす影響調査

研究离散掺杂剂位置对器件特性的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: 藤井拓也;矢守恭子;田中良明;Mitsumasa Iwamoto;平圭吾
• 通讯作者: 平圭吾

Evaluation of Transconductance Enhancement of <110> and <100> -Channel Strained Si Nanowire Field-Effect Transistors

<110>和<100>沟道应变硅纳米线场效应晶体管的跨导增强评估

• 发表时间: 2008
• 作者: A. Seike;A. Ogura;他
• 通讯作者: 他

Transconductance Enhancement by Utilizing Pattern Depe ndent Oxidation in Silicon Nanowire Field-Effect Transis tors.

通过利用硅纳米线场效应晶体管中的图案相关氧化来增强跨导。

• 发表时间: 2008
• 作者: A. Seike;A. Ogura;他
• 通讯作者: 他

Simulation of the Heat Transport in a Silicon Nano-structure Covered with Oxide Films

氧化膜覆盖的硅纳米结构中的热传输模拟

• 发表时间: 2010
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. Vol 49
• 作者: T.Zushi;I.Ohdomari;Y.Kamakura;K.Taniguchi;T.Watanabe
• 通讯作者: T.Watanabe

水素終端Si(001)-2×1表面へのイオン照射過程のその場STM観察

氢封端Si(001)-2×1表面离子辐照过程的原位STM观察

• 发表时间: 2010
• 作者: H.Tsuji;P.Sommani;T.Yamada;H.Kojima;H.Sato;Y.Gotoh;J.Ishikawa;礒野文哉,神岡武文,吉田尚弘,大泊巌,渡邉孝信
• 通讯作者: 礒野文哉,神岡武文,吉田尚弘,大泊巌,渡邉孝信