Quantitative Analyse von Elementverteilungen in Gruppe-III-Nitridschichten und ihren Heterostrukturen mittels Elastic Recoil Detection

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Die bisherigen Arbeiten zeigen, daß ERD Analysen, für den quantitativen Nachweis von leichten Elementen in Gruppe III-Nitriden hervorragend geeignet sind. Vor allem die für die elektronischen und optischen Eigenschaften der Gruppe III-Nitride wichtigen Elemente, H, B, C, N, O, Mg, Al und Ga können ideal nachgewiesen werden, in Verbindung mit RBS auch In. Für die Lokalisierung der leichten Verunreinigungen im Kristallgitter kann die Kanalführung hochenergetischer Ionen bei ERD-Analysen auf die Untersuchung von Gruppe III-Nitridschichten angewendet werden. Die Ziele für die neue Förderperiode sind: a) Die quantitative Analyse der Zusammensetzung von Mischnitridschichten und Korreleation mit Strukturanalysen und elektrischen Eigenschaften. b) Hochauflösende Elementanalyse an Vielschichtsystemen für opto-elektronische oder elektronische Bauelemente. c) Quantitative Bestimmung von Dotierstoffen in Gruppe III-Nitriden, auch in Bauelement-relevanten Schichtstrukturen, und deren Lokalisierung im Kristallgitter mittels Channeling-ERD. d) Mit einem Ionennanoskop soll die laterale Verteilung von Fremdelementen, z.B. an Korngrenzen oder Mikrokanälen, vermessen werden.