Quantitative Analyse von Elementverteilungen in Gruppe-III-Nitridschichten und ihren Heterostrukturen mittels Elastic Recoil Detection

使用弹性反冲检测对 III 族氮化物层及其异质结构中的元素分布进行定量分析

• 批准号: 5372692
• 负责人: Professor Dr. Günther Dollinger
• 金额: --
• 依托单位: Institut für angewandte Physik und Messtechnik (LRT-2)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372692?language=en
• 关键词: Quantitative; Analyse; von; Elementverteilungen; Gruppe

Die bisherigen Arbeiten zeigen, daß ERD Analysen, für den quantitativen Nachweis von leichten Elementen in Gruppe III-Nitriden hervorragend geeignet sind. Vor allem die für die elektronischen und optischen Eigenschaften der Gruppe III-Nitride wichtigen Elemente, H, B, C, N, O, Mg, Al und Ga können ideal nachgewiesen werden, in Verbindung mit RBS auch In. Für die Lokalisierung der leichten Verunreinigungen im Kristallgitter kann die Kanalführung hochenergetischer Ionen bei ERD-Analysen auf die Untersuchung von Gruppe III-Nitridschichten angewendet werden. Die Ziele für die neue Förderperiode sind: a) Die quantitative Analyse der Zusammensetzung von Mischnitridschichten und Korreleation mit Strukturanalysen und elektrischen Eigenschaften. b) Hochauflösende Elementanalyse an Vielschichtsystemen für opto-elektronische oder elektronische Bauelemente. c) Quantitative Bestimmung von Dotierstoffen in Gruppe III-Nitriden, auch in Bauelement-relevanten Schichtstrukturen, und deren Lokalisierung im Kristallgitter mittels Channeling-ERD. d) Mit einem Ionennanoskop soll die laterale Verteilung von Fremdelementen, z.B. an Korngrenzen oder Mikrokanälen, vermessen werden.

引用本文：[j] .化学分析与分析，[j] .化学分析与分析。vorallem die f<e:1> r die e - tronischen and optischen Eigenschaften der group iii -氮化物（H， B， C， N， O, Mg， Al和Ga） können理想的nachgewiesen werden， in ververindung mit RBS auch in。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [3] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [3]Die Ziele fgr Die neue Förderperiode sind: a)模具定量分析der Zusammensetzung von Mischnitridschichten and korcorrelation mit Strukturanalysen und elektrischen Eigenschaften。b) Hochauflösende elementanalysis and Vielschichtsystemen f<e:1> r opto-elektronische oder elektronische Bauelemente。c)在第三组-氮化物中，包括在bauelement相关的schichtstructuren中，Dotierstoffen的定量估计，以及在晶体发光mittel的channelingerd中的lokalisieren。(4)纳米材料纳米结构的研究与应用，z.B. and Korngrenzen oder Mikrokanälen, vermessen werden。