Formation of twin superlattice in bulk silicon crystal by crystal growth with controlled grain boundary configuration

通过受控晶界配置的晶体生长在体硅晶体中形成孪晶超晶格

• 批准号: 20860003
• 负责人: KUTSUKAKE Kentaro
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860003/
• 关键词: シリコン; 双晶; 超格子; 結晶成長; 結晶粒界; 結晶欠陥

We proposed crystal growth using seed crystals with controlled configuration as a new method to form twin supperlattice in a bulk Si crystal. We found that tilt deviation from the twin configuration and change in the growth rate are important factor in the twin formation. Reduction in dislocation density around the twins is an issue in the future.

我们提出了一种在体硅晶体中形成孪晶超晶格的新方法，即用可控组态的籽晶生长晶体。我们发现，孪晶构型的倾斜偏离和生长速率的变化是形成孪晶的重要因素。孪晶周围位错密度的降低是未来的一个问题。

项目成果

Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance

硅多晶亚晶界的定量分析及其对电性能和太阳能电池性能的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Appl.Phys. 105
• 作者: K.Kutsukake;N.Usami;T.Ohtaniuchi;K.Fujiwara;K.Nakajima
• 通讯作者: K.Nakajima

太陽電池用バルク多結晶シリコンの結晶成長過程における欠陥発生

太阳能电池用块状多晶硅晶体生长过程中缺陷的产生

• 发表时间: 2009
• 作者: 沓掛健太朗;高橋勲;宇佐美徳隆;藤原航三;中嶋一雄
• 通讯作者: 中嶋一雄

Quantitative Analysis of Defects and Microstructures in Si Multicrystals Using X-ray Diffraction

利用 X 射线衍射定量分析硅多晶中的缺陷和微观结构

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Kutsukake;N.Usami;K.Fujiwara;K.Nakajima
• 通讯作者: K.Nakajima

材料科学からの結晶シリコン太陽電池の高効率化へのアプローチ

从材料科学角度提高晶体硅太阳能电池效率的方法

• 发表时间: 2010
• 作者: 沓掛健太朗;宇佐美徳隆;藤原航三;森下浩平;中嶋一雄
• 通讯作者: 中嶋一雄

シリコンバルク多結晶の結晶成長過程における欠陥発生機構の解明

阐明硅块状多晶晶体生长过程中的缺陷产生机制

• 发表时间: 2010
• 作者: 阿部匠朗;沓掛健太朗;藤原航三;宇佐美徳隆;中嶋一雄
• 通讯作者: 中嶋一雄