Study of carbon impurities in bulk multicrystalline silicon

大块多晶硅中碳杂质的研究

• 批准号: 23760004
• 负责人: KUTSUKAKE Kentaro
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760004/
• 关键词: 多結晶シリコン; 結晶成長; 不純物; 太陽電池; 結晶欠陥; バルク; シリコン; 多結晶; 炭素不純物

We investigated carbon impurities in multicrystalline Si for solar cells. Our targets were to reveal the behavior of carbon impurities in the crystal growth process and to quantify the electrical properties of carbon precipitations and dissolved impurities. For the former, we created a model of impurities incorporation and clarified the incorporation mechanism by comparing the calculation results based on the model and the results of crystal growth experiments. For the later, we demonstrated the influence of the carbon precipitates on the electrical properties of the crystal. The investigation for influence of the dissolved carbon impurities is the challenge for the future.

我们研究了太阳能电池多晶SI中的碳杂质。我们的目标是揭示碳杂质在晶体生长过程中的行为，并量化碳沉淀和溶解杂质的电性能。对于前者，我们创建了一个杂质掺入模型，并通过比较基于模型的计算结果和晶体生长实验的结果来阐明掺入机制。对于后来，我们证明了碳沉淀对晶体电性能的影响。溶解碳杂质的影响的调查是未来的挑战。

项目成果

A now mono-cast Si technique using functional grainth boundaies

现在使用功能晶粒边界的单铸硅技术

• 发表时间: 2012
• 作者: Kentaro Kutsukake;Yutaka Ohono;Yuki Tokumoto;Noritaka Usami;Kazuo Nakajima and Ichiro Yonenaga
• 通讯作者: Kazuo Nakajima and Ichiro Yonenaga

顕微ELイメージングによる多結晶Si中粒界の電気的特性の定量評価

使用显微 EL 成像定量评估多晶硅介质晶界的电性能

• 发表时间: 2013
• 作者: 沓掛健太朗;宮崎直人;鮫島崇;立花福久;小椋厚志;徳本有紀;大野裕;宇佐美徳隆;米永一郎
• 通讯作者: 米永一郎

Quantitative analysis of carrier recombination property at grain boundaries in multicrystalline silicon using micro-image of electroluminescence

利用电致发光显微图像定量分析多晶硅晶界载流子复合特性

• 发表时间: 2012
• 作者: Kentaro Kutsukake;Naoto Miyazaki;Takashi Sameshima;Tomihisa Tachibana;Atsushi Ogura;Yuki Tokumoto;Yutaka Ohno;Noritaka Usami;Ichiro Yonenaga
• 通讯作者: Ichiro Yonenaga

多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析

多晶硅中氧和碳杂质在晶体生长方向的分布分析

• 发表时间: 2011
• 作者: 沓掛健太朗;伊勢秀彰;大野裕;徳本有紀;森下浩平;中嶋一雄;米永一郎
• 通讯作者: 米永一郎

Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.004
• 发表时间: 2012-08
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: K. Kutsukake;Hideaki Ise;Y. Tokumoto;Y. Ohno;K. Nakajima;I. Yonenaga