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Study of multi-value spin-logic device development using InGaAs quantum well bilayer electron systems

Study of multi-value spin-logic device development using InGaAs quantum well bilayer electron systems
利用InGaAs量子阱双层电子系统开发多值自旋逻辑器件的研究
批准号：
20K04631
负责人：
Yamada Shoji
金额：
$2.75万
依托单位：
Osaka Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04631/
关键词：
InGaAsGaN2次元電子ガス2次元ホールガススピン軌道相互作用ラシュバ分裂スピンFETスピン論理デバイス2層2次元電子ガススピン論理素子スピンFET（SFET)素子スピンバルブ素子(SV)素子極低温測定2次元電子ガス2層系スピンバルブ特性スピン起動相互作用スピンデバイスInGaAs量子井戸多値論理素子

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InGaAs 2次元電子ガス 2層デバイスのスピン依存伝導
InGaAs二维电子气双层器件中的自旋相关传导
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [山田省二, 藤元章, 赤堀誠志]
通讯作者： 赤堀誠志
CoFe-InGaAs複合系におけるスピンバルブ伝導の磁場方位・ゲート電圧依存性
CoFe-InGaAs复合材料系统中自旋阀传导的磁场方向和栅极电压依赖性
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Ikeda Yusuke, Nara Rio, Baba Yasuhiro, Yamashiro Shoichiro, Hisamitsu Tetsuya, Shimoyama Yoshimitsu, 坂根直樹, 山田省二，藤元章，添田幸伸，赤堀誠志]
通讯作者： 山田省二，藤元章，添田幸伸，赤堀誠志
ゲート付きCoFe-InGaAsスピンバルブ素子における輸送解析
门控 CoFe-InGaAs 自旋阀器件中的输运分析
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [中島 弘毅, 新井 健之, 竹市 勝, 立谷泰久・村上貴聡・荒井弘和・宇土昌志・平木貴子, 山田省二，藤元章，添田幸伸，赤堀誠志]
通讯作者： 山田省二，藤元章，添田幸伸，赤堀誠志
InGaAs 2次元電子ガス2層系のスピンバルブ伝導
InGaAs二维电子气双层体系中的自旋阀传导
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [山田省二, 藤元章, 赤堀誠志]
通讯作者： 赤堀誠志
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海外基金
垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘梦涵
  • 依托单位：
    南京信息职业技术学院
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    戴厚富
  • 依托单位：
    汕头大学