Study of multi-value spin-logic device development using InGaAs quantum well bilayer electron systems
利用InGaAs量子阱双层电子系统开发多值自旋逻辑器件的研究
基本信息
- 批准号:20K04631
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
CoFe-InGaAs複合系におけるスピンバルブ伝導の磁場方位・ゲート電圧依存性
CoFe-InGaAs复合材料系统中自旋阀传导的磁场方向和栅极电压依赖性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Ikeda Yusuke;Nara Rio;Baba Yasuhiro;Yamashiro Shoichiro;Hisamitsu Tetsuya;Shimoyama Yoshimitsu;坂根直樹;山田省二,藤元章,添田幸伸,赤堀誠志
- 通讯作者:山田省二,藤元章,添田幸伸,赤堀誠志
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- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中島 弘毅;新井 健之;竹市 勝;立谷泰久・村上貴聡・荒井弘和・宇土昌志・平木貴子;山田省二,藤元章,添田幸伸,赤堀誠志
- 通讯作者:山田省二,藤元章,添田幸伸,赤堀誠志
GaN/AlGaN 2次元電子ガスのスピン分裂
GaN/AlGaN二维电子气的自旋分裂
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山田省二;藤元章;八木修一;成井啓修;山口栄一;今中康貴
- 通讯作者:今中康貴
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