Planarer Randabschluß für Halbleiter-Leistungsbauelemente durch Variation der lateralen Dotierung
Planarer Randabschluß für Halbleiter-Leistungsbauelemente durch Variation der lateralen Dotierung
通过改变横向掺杂实现半导体功率元件的平面边缘端接
批准号：
5377505
负责人：
Professor Dr. Roland Sittig
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1997
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1996-12-31 至 1999-12-31
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Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS
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批准号：5182328
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项目类别：Priority Programmes
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资助金额：$0.0万
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财政年份：1999
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负责人：Professor Dr. Roland Sittig
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依托单位：
Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren
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批准号：5377513
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项目类别：Priority Programmes
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资助金额：$0.0万
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财政年份：1997
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负责人：Professor Dr. Roland Sittig
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依托单位：
Numerische Simulation zum statischen und dynamischen Verhalten des Monolithischen Bidirektionalen Schalters, MBS
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批准号：5377519
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项目类别：Priority Programmes
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资助金额：$0.0万
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财政年份：1997
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负责人：Professor Dr. Roland Sittig
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依托单位：