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Planarer Randabschluß für Halbleiter-Leistungsbauelemente durch Variation der lateralen Dotierung
通过改变横向掺杂实现半导体功率元件的平面边缘端接
基本信息
- 批准号：5377505
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：德国
- 项目类别：Priority Programmes
- 财政年份：1997
- 资助国家：德国
- 起止时间：1996-12-31 至 1999-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS
MOS 控制的双向开关 MBS 的边缘终止和锁定特性
- 批准号：
5182328 - 财政年份：1999
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Priority Programmes
Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren
生产具有用于正向特性和关断换向期间电压限制的子结构的快速二极管
- 批准号：
5377513 - 财政年份：1997
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Priority Programmes
Numerische Simulation zum statischen und dynamischen Verhalten des Monolithischen Bidirektionalen Schalters, MBS
单片双向开关 MBS 静态和动态行为的数值模拟
- 批准号：
5377519 - 财政年份：1997
- 资助金额：
-- - 项目类别：
Priority Programmes