Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren

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In einer am Institut abgeschlossenen Dissertation ist eine unkonventionelle Möglichkeit gezeigt worden, mit er es möglich ist einen Überspannungsbegrenzer zu realisieren, der schwingungsfrei bzw. -arm abkommutiert. Im ersten Abschnitt des Förderprojektes konnten nun eindimensionale Strukturen, die die gewünschten Eigenschaften aufweisen, mit den am Institut entwickelten Kurzzeit-Prozessen hergestellt werden. Im Rahmen dieses Folgeantrages steht die Realisierung eines Demonstrators dieser schwingungsfreien Diode im Vordergrund. Hierfür ist es notwendig, neben eindimensionalen FCI-Strukturen auch die Möglichkeiten, die zweidimensionale Strukturen bieten zu untersuchen. Von letzteren wird erwartet, daß es hier durch geschickte Wahl der Parameter möglich ist die Temperaturabhängigkeit im Temperaturintervall von 300 K bis 400 K zu minimieren. Weiterhin sind für die FCI-Strukturen die Fragen zu klären, in wie weit vorgegebene Spannungsgrenzweite erreicht werden können und wie stark sich Variationen einzelner Strukturparameter auswirken.