Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren
生产具有用于正向特性和关断换向期间电压限制的子结构的快速二极管
基本信息
- 批准号:5377513
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Priority Programmes
- 财政年份:1997
- 资助国家:德国
- 起止时间:1996-12-31 至 2001-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In einer am Institut abgeschlossenen Dissertation ist eine unkonventionelle Möglichkeit gezeigt worden, mit er es möglich ist einen Überspannungsbegrenzer zu realisieren, der schwingungsfrei bzw. -arm abkommutiert. Im ersten Abschnitt des Förderprojektes konnten nun eindimensionale Strukturen, die die gewünschten Eigenschaften aufweisen, mit den am Institut entwickelten Kurzzeit-Prozessen hergestellt werden. Im Rahmen dieses Folgeantrages steht die Realisierung eines Demonstrators dieser schwingungsfreien Diode im Vordergrund. Hierfür ist es notwendig, neben eindimensionalen FCI-Strukturen auch die Möglichkeiten, die zweidimensionale Strukturen bieten zu untersuchen. Von letzteren wird erwartet, daß es hier durch geschickte Wahl der Parameter möglich ist die Temperaturabhängigkeit im Temperaturintervall von 300 K bis 400 K zu minimieren. Weiterhin sind für die FCI-Strukturen die Fragen zu klären, in wie weit vorgegebene Spannungsgrenzweite erreicht werden können und wie stark sich Variationen einzelner Strukturparameter auswirken.
在一个研究所的论文中,有一个不熟悉的数学沃登,它的数学是一个非常现实的数学,它的数学是一个非常自由的数学。- 手臂abkommutiert。Im esten Abschnitt des Förderprojektes konnten nun eindimensional Strukturen,die gewünschten Eigenschaften aufweisen,mit den den am Institut entwickelten Kurzzeit-Prozessen hergestellt韦尔登.在Rahmen这些Folgeantrages steht die Realisierung一个Demonstrator dieser schwingungsfreien二极管im Vordergrund. Hierfür is notwendig,neben eindimensionalen FCI-Strukturen auch die Möglichkeiten,die zweidimensionale Strukturen bieten zu untersuchen.在这种情况下,由于参数的变化,温度在300 K到400 K之间的变化最小。FCI结构的另一个特点是它的跨度很小,韦尔登很小,结构参数的变化很大。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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