Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS

MOS 控制的双向开关 MBS 的边缘终止和锁定特性

• 批准号: 5182328
• 负责人: Professor Dr. Roland Sittig
• 金额: --
• 依托单位: Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie (ISIT)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5182328?language=en
• 关键词: Randabschlu; und; Sperreigenschaften; des; MOS

Die Arbeiten am Projekt "hochsperrende Zweirichtungsventile" im ersten Förderabschnitt des Schwerpunktprogramms haben zur Erfindung einer neuen Bauelementstruktur, dem MOS-gesteuerten bidirektionalen Schalter, MBS, geführt. Dieses Bauelement besteht im wesentlichen und speziell im Randbereich nur aus intrinsischem Silizium. Da es Spannungen beider Polaritäten aufnehmen können muß, kann dafür kein Randabschluß verwendet werden, der spezielle Dotierungen erfordert. Insbesondere kann das bisher entwickelte Verfahren der Variation der lateralen Dotierung, VLD, für den MBS nicht eingesetzt werden. Um eine möglichst rasche Realisierung des MBS vorzubereiten soll mit diesem Projekt ein geeigneter Randabschluß entwickelt werden. Als am besten geeignetes Verfahren sollen dazu kontinuierlich gekrümmte Feldplatten angewendet werden. Ein neues Herstellverfahren, die Grauton-Lithographie, mit dem die notwendigen Profile in Siliziumoxidschichten übertragen werden können, wurde vom Fraunhofer Institut für Siliziumtechnologie, ISIT, entwickelt. In Kooperation mit diesem Institut und der dieses Projekt unterstützenden Firma Siemens sollen die Arbeiten durchgeführt werden. Zusätzlich soll eine weitere Möglichkeit zur Speicherung freier Ladungsträger bezüglich ihrer Anwendbarkeit als Randabschluß ausgelotet werden.

Die Arbeiten am Projekt“hochsperrende Zweirichtungsventile”im ersten Förderabschnitt des Schwerpunktprogramms haben zur Erfindung einer neiner bauen Bauelementstruktur，dem MOS gesteuerten bidirektionalen Schalter，MBS，geführt.这些元素在我们的环境中最好，在所有的环境中最好，只有硅元素。如果极化的跨度很大，就不会有韦尔登的影子，这是特定的Dotierungen造成的。Insbesondere kann das bisher entwickelte Verfahren der Variation der lateralen Dotierung，VLD，für den MBS nicht eingesetzt韦尔登. Um eine möglichst rasche Realisierung des MBS vorzubereiten soll mit diesem Projekt ein geeigneter Randabschlubricentwickelt韦尔登.最好的方法是继续使用Feldplatten angewendet韦尔登。一个新的Herstellverfahren，Grauton-Lithographie，与硅氧化物中的notwendigen剖面不同韦尔登können，由Fraunhofer Institut für Siliziumtechnologie，ISIT开发。在与该机构和该项目的合作中，西门子公司可以通过韦尔登来解决工人的问题。Zusätzlich soll eine weitere Möglichkeit zur Speicherung freier Ladungsträger bezüglich ihrer Anwendbarkeit als Randabschlüngelotet ausgelotet韦尔登.