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Numerische Simulation zum statischen und dynamischen Verhalten des Monolithischen Bidirektionalen Schalters, MBS

Numerische Simulation zum statischen und dynamischen Verhalten des Monolithischen Bidirektionalen Schalters, MBS
单片双向开关 MBS 静态和动态行为的数值模拟
批准号:
5377519
负责人:
Professor Dr. Roland Sittig
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
1997
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1996-12-31 至 2002-12-31

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Die Arbeiten am Projekt "Hochsperrende Zweirichtungsventile" im ersten Förderabschnitt des Schwerpunktprogramms haben zur Erfindung einer neuen Bauelementstruktur geführt, die zur Patentanmeldung eingereicht wurde. Dieser MOS-gesteuerte bidirektionale Schalter, MBS, kann monolithisch aus einer Siliziumscheibe hergestellt werden. Dafür sind zwar feine Strukturen im Sub-µm-Bereich auf beiden Oberflächen erforderlich, bis auf die Kontaktbereiche besteht das Bauelement sonst aber nur aus möglichst reinem Silizium. Neben der überraschenden Erkenntnis, daß ein Zweirichtungsventil durch eine so einfache Struktur realisiert werden kann, wird weiter erwartet, daß der MBS hervorragende elektrische Daten aufweist. Mittels numerischer Simulation sollen im hier beantragten Projekt die Anforderungen an die Strukturparameter und die damit realisierbaren Durchlaß- und Sperreigenschaften berechnet werden. Zusätzlich soll untersucht werden, wie weit durch Steuerung der Ladungsträgerkonzentrationen auf beiden Seiten die dynamischen Vorgänge beim Ein- und Ausschalten optimiert werden können. Falls ein Partner für die Herstellung der Bauelemente gefunden wird, sollen alternativ Rechnungen zur Gestaltung verschiedener Ausführungsformen der MBS durchgeführt werden.
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Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS
Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren
  • 批准号:
    5377513
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    Professor Dr. Roland Sittig
  • 依托单位:
Planarer Randabschluß für Halbleiter-Leistungsbauelemente durch Variation der lateralen Dotierung
  • 批准号:
    5377505
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    Professor Dr. Roland Sittig
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
Simulation and certification of the ground state of many-body systems on quantum simulators
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    --
  • 资助金额:
    40万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    Abolfazl Bayat
  • 依托单位: