Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides

稀土掺杂半导体硅化物的光学性质

• 批准号: 20760199
• 负责人: TERAI Yoshikazu
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760199/
• 关键词: シリサイド半導体; 希土類添加半導体; 半導体光物性; 鉄シリサイド; シリコンオプトエレクトロニクス; 変調分光法; フォトリフレクタンス; エピタキシャル成長; 分子線エピタキシー法

We have investigated optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides grown by ion implantation to develop silicon-based optoelectronics devices. Rare-earth ion of Er^<3+> was doped into β-FeSi_2 epitaxial films on Si substrate. The Er-doped β-FeSi_2 showed 1.5μm emission which is a wavelength for fiber optics communications.

为了开发硅基光电子器件，我们研究了离子注入法生长的稀土掺杂半导体硅化物的光学性质。在Si衬底上的β-FeSi_2外延膜中掺杂稀土离子Er^<3+>。掺铒β-FeSi_2的发射波长为1.5μm，这是光纤通信的一个波长。

项目成果

β-FeSi_2エピタキシャル膜における直接遷移端の温度依存性

β-FeSi_2外延薄膜直接过渡边缘的温度依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 長副亮;住井亮介;藤沢浩訓;清水勝;小高康稔;本田耕一郎;野田慶一
• 通讯作者: 野田慶一

Band-gap modifications of β-FeSi_2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy

分子束外延生长β-FeSi_2外延薄膜的带隙修饰

• 发表时间: 2009
• 作者: 清王義弘;藤沢浩訓;清水勝;米田圭佑;長副亮他;Keiichi Noda
• 通讯作者: Keiichi Noda

Si(111)基板上のβ-FeSi2エピタキシャル膜におけるフォトリフレクタンス評価

Si(111)衬底上β-FeSi2外延薄膜的光反射评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 野田慶一;米田圭佑;寺井慶和;藤原康文
• 通讯作者: 藤原康文

変調分光法による鉄シリサイド半導体のバンド構造評価

使用调制光谱评估硅化铁半导体的能带结构

• 发表时间: 2010
• 作者: 寺井慶和;藤原康文
• 通讯作者: 藤原康文

β-FeSi2エピタキシャル膜における直接遷移エネルギーの熱処理温度依存性

β-FeSi2 外延膜直接跃迁能的热处理温度依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 野田慶一;米田圭佑;寺井慶和;藤原康文
• 通讯作者: 藤原康文