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Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides

Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides
稀土掺杂半导体硅化物的光学性质
批准号：
20760199
负责人：
TERAI Yoshikazu
金额：
$2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760199/
关键词：
シリサイド半導体希土類添加半導体半導体光物性鉄シリサイドシリコンオプトエレクトロニクス変調分光法フォトリフレクタンスエピタキシャル成長分子線エピタキシー法

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
为了开发硅基光电子器件，我们研究了离子注入法生长的稀土掺杂半导体硅化物的光学性质。在Si衬底上的β-FeSi_2外延膜中掺杂稀土离子Er^<3+>。掺铒β-FeSi_2的发射波长为1.5μm，这是光纤通信的一个波长。
英文摘要
We have investigated optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides grown by ion implantation to develop silicon-based optoelectronics devices. Rare-earth ion of Er^<3+> was doped into β-FeSi_2 epitaxial films on Si substrate. The Er-doped β-FeSi_2 showed 1.5μm emission which is a wavelength for fiber optics communications.
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会议论文
β-FeSi_2エピタキシャル膜における直接遷移端の温度依存性
β-FeSi_2外延薄膜直接过渡边缘的温度依赖性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [長副亮, 住井亮介, 藤沢浩訓, 清水勝, 小高康稔, 本田耕一郎, 野田慶一]
通讯作者： 野田慶一
Band-gap modifications of β-FeSi_2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长β-FeSi_2外延薄膜的带隙修饰
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [清王義弘, 藤沢浩訓, 清水勝, 米田圭佑, 長副亮他, Keiichi Noda]
通讯作者： Keiichi Noda
Si(111)基板上のβ-FeSi2エピタキシャル膜におけるフォトリフレクタンス評価
Si(111)衬底上β-FeSi2外延薄膜的光反射评价
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [野田慶一, 米田圭佑, 寺井慶和, 藤原康文]
通讯作者： 藤原康文
変調分光法による鉄シリサイド半導体のバンド構造評価
使用调制光谱评估硅化铁半导体的能带结构
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [寺井慶和, 藤原康文]
通讯作者： 藤原康文
共 29 条
    Creation of new optical function by a control of band orbital hybridization in semiconducting silicides
    • 批准号：
      18H01477
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      TERAI Yoshikazu
    • 依托单位：
      Kyushu Institute of Technology
    Control of electronic structure by anisotropic strain in semiconducting silicide
    • 批准号：
      26289093
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.4万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      TERAI Yoshikazu
    • 依托单位：
      Kyushu Institute of Technology
    Control of band structure in strained silicide structures
    海外基金