Control of band structure in strained silicide structures

应变硅化物结构中能带结构的控制

• 批准号: 22686032
• 负责人: TERAI Yoshikazu
• 金额: $ 15.48万
• 依托单位: Kagoshima University (2013)Osaka University (2010-2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22686032/
• 关键词: 結晶成長; 半導体光物性; シリサイド半導体; シリコンオプトエレクトロニクス; 分子線エピタキシー; エピタキシャル成長; 変調分光法; フォトリフレクタンス; 鉄シリサイド; 分子線エピタキシー法

Semiconducting silicide, beta-FeSi2, is a novel silicon-optoelectronic material which shows photoresponse and light emission in the wavelength range of near infrared. In this study, we have studied the strain-induced modification of band structure in beta-FeSi2. In the results, it was revealed that an introduction of strain along a-axis direction of the beta-FeSi2 epitaxial film is effective to control the band structure from indirect transition type to direct transition one. In addition, we have succeeded in the growth of high quality beta-FeSi2 epitaxial film with low residual carrier concentration.

半导体硅化物β-FeSi_2是一种新型的硅光电材料，在近红外波段具有光响应和发光特性。 在这项研究中，我们研究了应变引起的带结构的修改β-FeSi 2。结果表明，沿β-FeSi 2外延膜的沿着a轴方向引入应变，可有效地控制带结构从间接跃迁型转变为直接跃迁型。 此外，我们还成功地生长了高质量的低残留载流子浓度的β-FeSi 2外延膜。

项目成果

Conduction Properties of β-FeSi_2 Epitaxial Films with Low Carrier Density

低载流子密度β-FeSi_2外延薄膜的导电性能

• DOI: 10.1002/pssc.201300342
• 发表时间: 2013
• 期刊: Physica Status Solidi (C)
• 作者: Yoshikazu Terai;Nozomu Suzuki;Keiichi Noda and Yasufumi Fujiwara
• 通讯作者: Keiichi Noda and Yasufumi Fujiwara

β-FeSi_2 エピタキシャル膜におけるFKO振動の観測と表面フェルミ準位の評価

β-FeSi_2外延薄膜FKO振动观测及表面费米能级评价

• 发表时间: 2014
• 作者: 塚本裕明;山口陽己;服部 哲;東 貴彦;寺井慶和
• 通讯作者: 寺井慶和

Growth condition dependence of direct bandgap in β-FeSi_2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy

分子束外延生长β-FeSi_2外延薄膜直接带隙的生长条件依赖性

• DOI: 10.1016/j.phpro.2012.01.002
• 发表时间: 2012
• 期刊: Physics Procedia
• 作者: Y. Terai;K. Noda;K.Noda
• 通讯作者: K.Noda

Effects of hetero-interface on direct bandgap energy in β-FeSi_2/Si heterostructures

异质界面对β-FeSi_2/Si异质结构直接带隙能的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: Y. Terai;K. Noda;Y. Fujiwara
• 通讯作者: Y. Fujiwara

Si(111)基板上へのGe添加β-FeSi2エピタキシャル膜の作製

Si(111)衬底上Ge掺杂β-FeSi2外延薄膜的制备

• 发表时间: 2012
• 作者: 野田慶一;寺井慶和
• 通讯作者: 寺井慶和