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Control of electronic structure by anisotropic strain in semiconducting silicide

Control of electronic structure by anisotropic strain in semiconducting silicide
半导体硅化物中各向异性应变控制电子结构
批准号：
26289093
负责人：
TERAI Yoshikazu
金额：
$10.4万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289093/
关键词：
シリサイド半導体鉄シリサイドバンド構造制御ひずみ導入バンド構造変化半導体物性光物性

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通讯作者： 山﨑一輝，山口陽己，寺井慶和
共 51 条
    Creation of new optical function by a control of band orbital hybridization in semiconducting silicides
    • 批准号：
      18H01477
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      TERAI Yoshikazu
    • 依托单位：
      Kyushu Institute of Technology
    Control of band structure in strained silicide structures
    Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides
    • 批准号：
      20760199
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      TERAI Yoshikazu
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金