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Control of electronic structure by anisotropic strain in semiconducting silicide
半导体硅化物中各向异性应变控制电子结构
基本信息
- 批准号：26289093
- 负责人：
- 金额：$ 10.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Sbドーピングによるβ-FeSi2エピタキシャル膜の電子密度制御
Sb掺杂对β-FeSi2外延薄膜电子密度的控制
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kawazu;T. Noda;T. Mano;Y. Sakuma;and H. Sakaki;飯沼元輝，江口 元，村社尚紀，星田裕文，寺井慶和
- 通讯作者：飯沼元輝，江口 元，村社尚紀，星田裕文，寺井慶和
偏光ラマンスペクトル測定によるBaSi2の分子振動モード解析 (II)
使用偏振拉曼光谱分析 BaSi2 的分子振动模式（II）
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：澤田健士;安達定雄;村社尚紀，飯沼元輝，末益 崇，寺井慶和
- 通讯作者：村社尚紀，飯沼元輝，末益 崇，寺井慶和
β-FeSi2エピタキシャル膜におけるラマンスペクトルの熱処理温度依存性
β-FeSi2 外延薄膜拉曼光谱的热处理温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Tateyama;Y. Nagatomi;S. Tanaka;K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima;山﨑一輝，山口陽己，寺井慶和
- 通讯作者：山﨑一輝，山口陽己，寺井慶和
スパッタリング法によるβ-FeSi2薄膜の作製と電気特性評価
溅射法制备β-FeSi2薄膜及电性能评价
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Shimizu;B. Han;Y. Tu;K. Inoue;and Y. Nagai;東 貴彦，服部 哲，寺井慶和
- 通讯作者：東 貴彦，服部 哲，寺井慶和
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Creation of new optical function by a control of band orbital hybridization in semiconducting silicides
通过控制半导体硅化物中的带轨道杂化创建新的光学功能
- 批准号：
18H01477 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Control of band structure in strained silicide structures
应变硅化物结构中能带结构的控制
- 批准号：
22686032 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides
稀土掺杂半导体硅化物的光学性质
- 批准号：
20760199 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
高品質ヘテロ界面・大結晶粒鉄シリサイドによる、高効率赤外発光・受光デバイス
采用优质异质界面和大晶硅化铁的高效红外发光和受光器件
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$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
単結晶ベータ鉄シリサイドを用いた冷熱ー電気エネルギー変換の研究
单晶β-硅化铁冷热电能转换研究
- 批准号：
18760228 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
レーザー低温プロセッシングによるβ-鉄シリサイドのフレキシブル光素子作製
使用激光低温加工从β-硅化铁制造柔性光学器件
- 批准号：
17760053 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
鉄シリサイド半導体での磁性誘起と発現機構の解明
硅化铁半导体磁感应及表达机制的阐明
- 批准号：
15760010 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
環境低負荷な鉄とシリコンからなるベータ鉄シリサイド半導体を用いた太陽電池の検討
使用由铁和硅制成的对环境影响较小的β-硅化铁半导体的太阳能电池的研究
- 批准号：
14655236 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発
使用半导体硅化铁的光配线用红外发光二极管的研发
- 批准号：
13750298 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
環境半導体鉄シリサイドの気相エピタキシャル成長
环境半导体硅化铁气相外延生长
- 批准号：
12750011 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)