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Creation of new optical function by a control of band orbital hybridization in semiconducting silicides
通过控制半导体硅化物中的带轨道杂化创建新的光学功能
基本信息
- 批准号：18H01477
- 负责人：
- 金额：$ 11.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Sb添加β-FeSi2エピタキシャル膜におけるSb置換サイトの検証
Sb 掺杂 β-FeSi2 外延膜中 Sb 取代位点的验证
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takuya Murooka ;Junya Yaita;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Hiromitsu Kato;Satoshi Yamasaki;Meralys Natal;Stephen E. Saddow;Takayuki Iwasaki;Mutsuko Hatano;星田裕文，末益 崇，寺井慶和;中村祐哉，齊藤剛史，伊藤和幸;江口 元，飯沼 元輝，星田 裕文，村社 尚紀，寺井 慶和;岩﨑 孝之;阿部光希，江口元，星田裕文，寺井慶和
- 通讯作者：阿部光希，江口元，星田裕文，寺井慶和
Institute of/Automation and Control Processes/FEB, RAS(ロシア連邦)
自动化与控制过程研究所/FEB，RAS（俄罗斯联邦）
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
- 通讯作者：
B添加β-FeSi2/Si多結晶積層構造における1.5 μm発光の基板依存性
B 掺杂 β-FeSi2/Si 多晶堆叠结构中 1.5 μm 发射的衬底依赖性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：池田 修哉，岡 直大;寺井 慶和
- 通讯作者：寺井 慶和
Sb添加β-FeSi2エピタキシャル膜の作製とドナー活性化条件の最適化
Sb掺杂β-FeSi2外延薄膜的制备及施主激活条件优化
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takuya Murooka ;Junya Yaita;Toshiharu Makino;Masahiko Ogura;Hiromitsu Kato;Satoshi Yamasaki;Meralys Natal;Stephen E. Saddow;Takayuki Iwasaki;Mutsuko Hatano;星田裕文，末益 崇，寺井慶和;中村祐哉，齊藤剛史，伊藤和幸;江口 元，飯沼 元輝，星田 裕文，村社 尚紀，寺井 慶和
- 通讯作者：江口 元，飯沼 元輝，星田 裕文，村社 尚紀，寺井 慶和
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Control of electronic structure by anisotropic strain in semiconducting silicide
半导体硅化物中各向异性应变控制电子结构
- 批准号：
26289093 - 财政年份：2014
- 资助金额：
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Control of band structure in strained silicide structures
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- 批准号：
17760053 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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- 批准号：
15760010 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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使用由铁和硅制成的对环境影响较小的β-硅化铁半导体的太阳能电池的研究
- 批准号：
14655236 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発
使用半导体硅化铁的光配线用红外发光二极管的研发
- 批准号：
13750298 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
環境半導体鉄シリサイドの気相エピタキシャル成長
环境半导体硅化铁气相外延生长
- 批准号：
12750011 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)