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Creation of new optical function by a control of band orbital hybridization in semiconducting silicides

Creation of new optical function by a control of band orbital hybridization in semiconducting silicides
通过控制半导体硅化物中的带轨道杂化创建新的光学功能
批准号：
18H01477
负责人：
TERAI Yoshikazu
金额：
$11.15万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01477/
关键词：
シリサイド半導体鉄シリサイド電子構造制御バンド軌道制御光学機能の創出

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Sb添加β-FeSi2エピタキシャル膜におけるSb置換サイトの検証
Sb 掺杂 β-FeSi2 外延膜中 Sb 取代位点的验证
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Takuya Murooka , Junya Yaita, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Hiromitsu Kato, Satoshi Yamasaki, Meralys Natal, Stephen E. Saddow, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, 星田裕文，末益　崇，寺井慶和, 中村祐哉，齊藤剛史，伊藤和幸, 江口 元，飯沼 元輝，星田 裕文，村社 尚紀，寺井 慶和, 岩﨑 孝之, 阿部光希，江口元，星田裕文，寺井慶和]
通讯作者： 阿部光希，江口元，星田裕文，寺井慶和
九州工業大学寺井研究室
九州工业大学寺井实验室
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Institute of/Automation and Control Processes/FEB, RAS(ロシア連邦)
自动化与控制过程研究所/FEB，RAS（俄罗斯联邦）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
B添加β-FeSi2/Si多結晶積層構造における1.5 μm発光の基板依存性
B 掺杂 β-FeSi2/Si 多晶堆叠结构中 1.5 μm 发射的衬底依赖性
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [池田 修哉，岡 直大, 寺井 慶和]
通讯作者： 寺井 慶和
共 25 条
    Control of electronic structure by anisotropic strain in semiconducting silicide
    • 批准号：
      26289093
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.4万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      TERAI Yoshikazu
    • 依托单位：
      Kyushu Institute of Technology
    Control of band structure in strained silicide structures
    Optical properties of rare-earth doped semiconducting silicides
    • 批准号：
      20760199
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      TERAI Yoshikazu
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金