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Spin injection into Si using Co-based Heusler alloys
使用 Co 基 Heusler 合金自旋注入 Si
基本信息
- 批准号：20760478
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Highly spin-polarized ferromagnetic materials are suitable for a spin source to realize an efficient spin-injection into semiconductor Si. In this study I focused on a Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5> (CFAS) Heusler alloy and established fabrication techniques of high-quality CFAS thin films. As a result, very high spin-polarization of the CFAS films was confirmed through analyses of transport properties of multilayers with the CFAS. In addition, formation of MgAl_2O_4 epitaxial thin films on the CFAS was achieved. The MgAl_2O_4 can be used as a tunnel barrier for future spin-injection devices since almost perfect lattice matching between MgAl_2O_4 and CFAS is achieved.
高自旋极化的铁磁材料适合作为自旋源，以实现对半导体Si的有效自旋注入。本研究以Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5>（CFAS）Heusler合金为研究对象，建立了高质量CFAS薄膜的制备技术。其结果是，非常高的CFAS薄膜的自旋极化被证实通过与CFAS多层膜的输运性质的分析。此外，还在CFAS上成功地生长了MgAl_2O_4外延薄膜。由于MgAl_2O_4与CFAS之间的晶格匹配几乎达到了完美，因此MgAl_2O_4可以作为未来自旋注入器件的隧道势垒。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ホイスラー合金Co2FeAl0. 5Si0. 5とスピネルMgAl2O4トンネルバリア用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合
使用 Heusler 合金 Co2FeAl0.5Si0.5 和尖晶石 MgAl2O4 隧道势垒的外延铁磁隧道结
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Shan;介川裕章;他
- 通讯作者：他
Tunnel Magnetoresistance in Full-Heusler Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5>/MgO/Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5> Magnetic Tunnel Junctions
全赫斯勒Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5>/MgO/Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5>磁隧道结中的隧道磁阻
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：介川裕章;中谷友也;W.H.Wang;R.Shan;三谷誠司;猪俣浩一郎;宝野和博
- 通讯作者：宝野和博
High tunnel magnetoresistance in fully-epitaxial magnetic tunnel junctions with full Heusler Co2FeAl0. 5Si0. 5 alloys
具有全 Heusler Co2FeAl0 的全外延磁隧道结具有高隧道磁阻。
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Sukegawa;et al.
- 通讯作者：et al.
フルエピタキシャルCo2FeA10.5Si0.5/MeO/Co2FeA10.5Si0.5強磁性トンネル接合のスピン偏極トンネル分光
全外延Co2FeA10.5Si0.5/MeO/Co2FeA10.5Si0.5铁磁隧道结的自旋极化隧道光谱
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：介川裕章;他
- 通讯作者：他
Tunnel Magnetoresistance in Full-Heusler Co2FeAl0.5Si0.5-Based Magnetic Tunnel Junctions
全赫斯勒 Co2FeAl0.5Si0.5 基磁隧道结中的隧道磁阻
- DOI：10.3379/msjmag.0903re8037
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Sukegawa;W. Wang;R. Shan;K. Inomata
- 通讯作者：K. Inomata
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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