Development of a new magnetic tunnel junction structure using a monocrystalline spinel-based tunnel barrier

使用单晶尖晶石隧道势垒开发新型磁性隧道结结构

基本信息

  • 批准号:
    22686066
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 13.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Tunnel magnetoresistance (TMR) devices with a monocrystalline MgAl2O4 barrier were successfully developed. The lattice matched heterostructure without any defects at the barrier interfaces was obtained, and TMR enhancement due to a spin-dependent coherent tunneling effect was demonstrated in the structure. In addition, it was found that cation-site disordering into the MgAl2O4 structure significantly increases the TMR. In fact, a giant TMR over 300% at room temperature was achieved by introducing the disordering into the barrier. These results demonstrate the effectiveness of MgAl2O4 as a spintronics material.
成功研制了单晶MgAl2O4势垒隧道磁阻(TMR)器件。得到了晶格匹配的异质结构,在势垒界面处没有任何缺陷,并且由于自旋相关的相干隧道效应在结构中证明了TMR增强。此外,还发现阳离子位无序进入MgAl2O4结构显著增加了TMR。事实上,通过在屏障中引入无序,在室温下获得了超过300%的巨大TMR。这些结果证明了MgAl2O4作为自旋电子学材料的有效性。

项目成果

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Enhanced tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctionswith a cubic Mg-Al-O barrier
立方 Mg-Al-O 势垒增强磁隧道结中的隧道磁阻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    介川裕章;三谷誠司;新関智彦;大久保忠勝;猪俣浩一郎;宝野和博;金井俊光;Ryo Minami;H. Sukegawa
  • 通讯作者:
    H. Sukegawa
フルホイスラー合金Co2FeAl層を有する強磁性トンネル接合におけるスピン注入磁化反転
具有全 Heusler 合金 Co2FeAl 层的铁磁隧道结中的自旋注入磁化反转
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    介川裕章;Z.C.Wen;近藤浩太;葛西伸哉;三谷誠司;猪俣浩一郎
  • 通讯作者:
    猪俣浩一郎
Perpendicular magnetization of Co2FeAl full-Heusler alloy thin films induced by MgO interface
MgO界面诱导Co2FeAl全霍斯勒合金薄膜的垂直磁化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Zhenchao Wen;Hiroaki Sukegawa;Seiji Mitani;Koichiro Inomata
  • 通讯作者:
    Koichiro Inomata
Bias voltage dependence of tunnel magnetoresistance for fully-epitaxial Fe/spinel MgAl_2O_4/Fe junctions
全外延Fe/尖晶石MgAl_2O_4/Fe结隧道磁阻的偏置电压依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroaki Sukegawa;Huixin Xiu;Tadakatsu Ohkubo;Takao Furubayashi;Tomohiko Niizeki;Wenhong Wang;Shinya Kasai;Seiji Mitani;Koichiro Inomata;Kazuhiro Hono
  • 通讯作者:
    Kazuhiro Hono
MgAl2O4スピネル型バリアを用いた格子整合強磁性トンネル接合の開発
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤岳人;徳山英昭;瀬尾 有輝;介川裕章
  • 通讯作者:
    介川裕章
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  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 13.15万
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  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 13.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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