structural control of nano-materials by pulsed excitation processes

通过脉冲激发过程控制纳米材料的结构

• 批准号: 21510120
• 负责人: UMEZU Ikurou
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Konan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21510120/
• 关键词: レーザーアブレーション; ナノ結晶; 非平衡プロセス; レーザープロセッシング; 結晶成長; プルーム

Si and Ge targets are irradiated by pulsed lasers, and the plumes during pulsed laser ablation was collided head-on to prepare hybrid-nanoparticles. The effect of collision was apparent around 300 Pa and was little when gas pressure is much lower or higher. Expansion of plume is molecular flow like at lower gas pressure and is confined at higher background gas pressure. The deposits are nanoparticles of Si and Ge alloy.

用脉冲激光照射硅靶和锗靶，将脉冲激光烧蚀过程中的羽流迎头相撞，制得杂化纳米粒子。当气压较低或较高时，碰撞的影响很小。在较低气压下，羽流的膨胀类似于分子流，在较高背景气压下，羽流的膨胀受到限制。沉积层是硅和锗合金的纳米颗粒。

项目成果

Synthesis of gallium nitride nanocrystallites by pulsed laser ablation in background gas of pure nitrogen

纯氮气背景气体中脉冲激光烧蚀合成氮化镓纳米晶

• 发表时间: 2010
• 作者: T.Yoshida;S.Kakumoto;A.Sugimura;I.Umezu
• 通讯作者: I.Umezu

反応性ガス中レーザーアブレーションによる化合物半導体ナノ結晶の創製-可視光応答型光触媒を目指して-

在反应气体中通过激光烧蚀制备化合物半导体纳米晶体 - 瞄准可见光响应光催化剂 -

• 发表时间: 2011
• 作者: 吉田岳人;梅津郁朗;杉村陽
• 通讯作者: 杉村陽

ガス中パルスレーザアブレーションでのSiナノ構造の生成過程に対するパルス励起の効果

气体中脉冲激光烧蚀脉冲激发对硅纳米结构形成过程的影响

• 发表时间: 2010
• 期刊: レーザ加工学会誌
• 作者: Akihiro Takahata;Yoshiharu Shimada;Fumio Yoshioka;Ikuo Yamamoto;Masashi Yoshida;Masafumi Kimata;Takashi Kano;C.B.Li;梅津郁朗
• 通讯作者: 梅津郁朗

Controlling for crystal structures and morphologies of TiO_2 nanoparticels deposited by reactive pulsed laser ablation for photocatalyst applications

控制用于光催化剂应用的反应脉冲激光烧蚀沉积的 TiO_2 纳米颗粒的晶体结构和形态

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Yoshida;N.Yagi;A.Sugimura;I.Umezu
• 通讯作者: I.Umezu

パルスレーザーメルティング法によって深い準位をとる不純物を過飽和ドープしたシリコンの赤外光吸収

脉冲激光熔化法深层掺杂过饱和杂质硅的红外光吸收

• 发表时间: 2012
• 期刊: 電気学会研究会資料光・量子デバイス研究会
• 作者: 梅津郁朗;香淳;川邊大介;松田祐樹;中川将;杉村陽
• 通讯作者: 杉村陽