Improvement in th e reli ability of super low power loss SiC static induction devices

超低功耗SiC静电感应器件可靠性的提高

• 批准号: 21560294
• 负责人: YAN0 Koji
• 金额: $ 3万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560294/
• 关键词: パワーエレクトロニクス; パワーデバイス; ワイドバンドギャップ; SiC

For SiC-static induction transistors with the buried gate structure(SiC-BGSIT), high voltage blocking tests have been performed at Ta=125℃for 1000 hours. 1000V was applied between the drain and source electrode in the test. Through the test, any degradation in the electrical characteristics was not observed. This result means that the appropriate device process is done in the channel formation, and expects the high reliability of the SiC-BGSITs.

对具有埋栅结构的SiC静电感应晶体管（SiC-BGSIT）在Ta=125℃下进行了1000小时的高压阻断试验。在测试中，在漏极和源极之间施加1000 V。通过测试，没有观察到电特性的任何劣化。这一结果意味着在沟道形成中完成了适当的器件工艺，并且期望SiC-BGSIT的高可靠性。

项目成果

SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験

SiC-静电感应晶体管高温反向偏压测试

• 发表时间: 2011
• 作者: 藤尾三紀夫;小林亮太;矢野公規;長谷川充;矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
• 通讯作者: 矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫