Improvement in th e reli ability of super low power loss SiC static induction devices
Improvement in th e reli ability of super low power loss SiC static induction devices
超低功耗SiC静电感应器件可靠性的提高
批准号：
21560294
负责人：
YAN0 Koji
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
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英文摘要
For SiC-static induction transistors with the buried gate structure(SiC-BGSIT), high voltage blocking tests have been performed at Ta=125℃for 1000 hours. 1000V was applied between the drain and source electrode in the test. Through the test, any degradation in the electrical characteristics was not observed. This result means that the appropriate device process is done in the channel formation, and expects the high reliability of the SiC-BGSITs.
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会议论文
SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験
SiC-静电感应晶体管高温反向偏压测试
SiC-静电感应晶体管高温反向偏压测试
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤尾三紀夫, 小林亮太, 矢野公規, 長谷川充, 矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫]
通讯作者：
矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
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