Elucidation of the mechanism of low-temperature type solid state diffusion induced by hydrogen atoms in electrodeposited films

电沉积膜中氢原子诱导的低温型固态扩散机理的阐明

• 批准号: 21560692
• 负责人: MATSUDA Hitoshi
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: University of Hyogo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560692/
• 关键词: 拡散; 相変態; 状態図; 電析めっき; 水素; 固体拡散; 空孔; 再結晶; ナノ構造; 薄膜; 電気化学; 析出膜; 固相反応

The mechanism of recrystallisation observed at room temperature in electrodeposited films has been examined in light of the enhancement of metal atom diffusion by hydrogen induced superabundant vacancies. Thermal desorption spectroscopy revealed that the films electrodeposited showed a pronounced peak, which was ascribed to the break-up of vacancy. hydrogen clusters. The grain size of the films increased as hydrogen desorption proceeded. These results indicate that the room temperature recrystallisation of electrodeposited films is caused by hydrogen induced superabundant vacancies.

根据氢致过剩空位增强金属原子扩散的观点，研究了电沉积薄膜中室温下观察到的再结晶机制。热脱附谱表明，电沉积的薄膜显示出一个明显的峰，这是归因于空位的破碎。氢团簇薄膜的晶粒尺寸随着氢脱附的进行而增大。这些结果表明，电沉积薄膜的室温再结晶是由氢致过剩空位引起的。

项目成果

めっき膜の微細構造に及ぼす膜中水素の影響 ～電析Coめっき～

皮膜中的氢对镀膜微细结构的影响～电镀Co～

• 发表时间: 2009
• 作者: P.J.Brown;(1番目)、T.Kanomata;(2番目);他5名;中山彰
• 通讯作者: 中山彰

めっき膜中の水素とその効果(II)

镀膜中的氢及其影响（二）

• 发表时间: 2011
• 作者: 坂本洋一;他;福室直樹
• 通讯作者: 福室直樹

Ni-P合金膜の構造と水素の存在状態

Ni-P合金膜的结构及氢的存在状态

• 发表时间: 2009
• 作者: 藤野茂;池田弘;梶原稔尚;竹本達哉
• 通讯作者: 竹本達哉

電解Niめっきプロセスにおける水素の移動

电解镀镍过程中的氢迁移

• 发表时间: 2009
• 作者: 田中裕三;福室直樹;八重真治;松田均
• 通讯作者: 松田均

Influence of hydrogen on room temperature recrystallisation of electrodeposited Cu films : thermal desorption spectroscopy

氢对电沉积铜膜室温再结晶的影响：热解吸光谱

• DOI: 10.1179/174591911x13082997023873
• 发表时间: 2011
• 期刊: Trans. Inst. Met. Finish.
• 作者: N. Fukumuro;T. Adachi;S. Yae;H. Matsuda;Y. Fukai
• 通讯作者: Y. Fukai