シリコン薄膜トランジスタの高性能化に関する研究
提高硅薄膜晶体管性能的研究
基本信息
- 批准号:09J02930
- 负责人:
- 金额:$ 0.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
多結晶シリコン(Polycrystalline Silicon: Poly-Si)薄膜トランジスタ(Thin-Film Transistor: TFT)の性能向上のためには、移動度向上が必要である。移動度向上のためには結晶グレインサイズを大きくすることが有効であるが、グレインサイズが大きいTFTでは、各グレインの結晶方位の不均一により、素子間で移動度が大きくばらつくことが問題となっている。本研究では、連続発振レーザー結晶化により、平均長さが20μm、平均幅が2μmの横方向成長結晶グレインを形成し、Poly-Si TFTを作製した。作製したPoly-Si TFTの素子間移動度ばらつきの解析結果に基づき、ワイヤ形状の素子構造を用いて素子間移動度ばらつきの低減を試みた。横方向成長結晶グレインをチャネルとするPoly-Si TFTの素子間移動度ばらつきのチャネル面積依存性を解析した結果、素子間移動度ばらつきは、チャネル中に存在するグレイン個数(N)によって決定され、N^<-1/2>に比例することがわかった。この結果から、異なる結晶面方位を有する表面をチャネル上に複数存在させることが素子間移動度ばらつきの低減に有効と考え、素子構造をワイヤ形状とした。横方向成長結晶グレインをチャネルとする平面構造とワイヤ構造のPoly-Si TFTを試作し、素子間移動度ばらつきを比較した。その結果、ワイヤ構造により素子間移動度ばらつきは41%低減した。さらに、ワイヤ構造により、連続発振レーザー結晶化によってPoly-Si膜内部に生じた引っ張り歪が、電子移動度の向上に有効な1軸性の歪となり、平面構造よりも、電子移動度向上は8%向上した。以上の結果から、ワイヤ構造が、横方向成長結晶グレインをチャネルとするPoly-Si TFTの素子間移動度ばらつき低減と電子移動度向上の両方に有効であることがわかった。
Polycrystalline Silicon (Poly-Si) Thin Film Transistor (TFT) Performance Upward and Mobility Upward The mobility of the crystals is upward. The mobility of the crystals is large. The TFT is uneven. The mobility of the crystals is large. In this study, the crystal growth of poly-Si TFTs with average length of 20μm and average width of 2μm was studied. Analysis of the inter-element mobility of Poly-Si TFTs for fabrication and application of the inter-element mobility of poly-Si TFTs The analysis results of the area dependence of the inter-element mobility of the poly-Si TFT on the lateral growth of the crystals, the inter-element mobility, and the number of crystals (N) present in the growth of the poly-Si TFT determine the ratio of N^<-1/2>. As a result, the crystal plane orientation has a complex existence on the surface, and the element mobility has a low decrease. Poly-Si TFTs with horizontal crystal growth and planar structure are tested and compared with each other in terms of mobility. As a result, the structural mobility between elements decreased by 41%. In addition, the structure of the poly-Si film, the continuous vibration of the poly-Si film, the internal tension of the poly-Si film, the upward movement of the electron, the axial deformation of the poly-Si film, the planar structure of the poly-Si film, the upward movement of the electron, the upward movement of the electron. As a result, the inter-element mobility of Poly-Si TFT decreases and the electron mobility increases.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Strain-Induced Back Channel Electron Mobility Enhancement in Poly-Si TFTs Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
连续波激光横向结晶形成的多晶硅 TFT 中应变诱导背沟道电子迁移率增强
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Suntaro Fujii;Shin-Ichiro Kuroki;Koji Kotani;and Takashi Ito
- 通讯作者:and Takashi Ito
One-dimensionally Long Silicon Grain Formation by Continuous-Wave Green Laser and Its Applications
连续波绿光激光形成一维长硅晶粒及其应用
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Itaru Yamashita;Kazumi Serizawa;Hiroaki Onuma;Ai Suzuki;Ryuji Miura;Hideyuki Tsuboi;Nozomu Hatakeyama;Akira Endou;Hiromitsu Takaba;Momoji Kubo;Mark C. Williams;Akira Miyamoto;S.Kuroki
- 通讯作者:S.Kuroki
Roughness Reduction in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Cap SiO_2 Thin Films
连续波激光横向晶化帽SiO_2薄膜多晶硅薄膜的粗糙度降低
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Honkura N.;Matsuzaki M.;Noguchi J.;S.Fujii
- 通讯作者:S.Fujii
トライゲート構造によるレーザー結晶化Poly-Si TFTの実効電子移動度ばらつき低減
使用三栅极结构减少激光结晶多晶硅 TFT 中的有效电子迁移率变化
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤井俊太朗;黒木伸一郎;川崎雄也;小谷光司
- 通讯作者:小谷光司
連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価
连续波激光结晶多晶硅 TFT 内应变和电子迁移率的评估
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤井俊太朗;黒木伸一郎;小谷光司
- 通讯作者:小谷光司
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藤井 俊太朗其他文献
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