磁性強誘電体における電気磁気ドメインの制御

磁性铁电体中电磁域的控制

• 批准号: 09J07961
• 负责人: 阿部 伸行
• 金额: $ 0.45万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09J07961/
• 关键词: 磁性強誘電体; マルチフェロイック; ドメイン壁; 磁場誘起電気分極フロップ; 電気磁気効果

強誘電性と磁性を併せ持つ磁性強誘電体は、ジュール熱によるエネルギーの損失を極力抑えることでき、かつ電気分極及び磁化という複数の秩序変数を利用したデバイスの基本原理として期待されている。特に近年、らせん磁気構造によって誘起される電気分極が発見された事を契機として、新物質の探索や新しい物性制御方法の開拓に観点をおいた研究がなされてきた。強的な秩序を持つ物質では、電気分極や磁化の向きが180°あるいは90°異なるドメイン(分域)が形成される。このようなドメイン間に存在するドメイン壁(分域壁)の性質が抗電場や抗磁場の大きさ、あるいは外場応答の速さを決めるため、物性制御の観点ではドメイン壁の性質を調べることが重要である。このため本研究では、磁場印加により電気分極の方向が90°回転する斜方晶RMnO_3等の磁性居誘電体を対象として、電気分極回転時に現れるドメイン壁の制御方法を開拓することを目的として研究を行った。以下ではTb_<1-x>Dy_xMnO_3を対象とした研究について述べる。初めに単結晶試料を作成し、傾き磁場下での電気分極の回転する向きを調べた。実験結果から、電気分極回転時に現れるドメイン壁の厚さが試料の組成及び印加磁場の強度によって変化する事を見出した。強誘電体ではドメイン壁の運動は低周波の誘電率に寄与する。このため電気分極回転時の誘電率の変化を調べることで、ドメイン壁の易動度を調べることができる。電気分極測定と同じ試料について電気分極回転時の誘電率を調べた結果、磁場印加強度や試料組成に依存して誘電率の大きさが変化する事を見出した。傾き磁場下における電気分極の回転する向きの変化と電気分極回転時の誘電率の大きさの変化は振る舞いの傾向が一致していることから、本研究ではらせん磁性強誘電体における90°ドメイン壁の厚さおよび易動度を観測し、磁場や組成変化によって制御可能であることを明らかにした。

Strong magnetic devices use the basic principles of magnetic devices to make use of the basic principles of magnetic devices to reduce the force of magnetic devices, to suppress the force of magnetic devices, to suppress the power of magnetic devices, and to use the basic principles of magnetic devices. In recent years, there has been a great deal of interest in the development of new methods for the control of physical properties in recent years, especially in recent years. The strong order maintains that the electrical equipment and electrical equipment are highly magnetized to the temperature of 180 °and 90 °of the temperature. There is a wide range of environmental protection walls (sub-domain walls), such as anti-magnetic field, anti-magnetic field, speed response, physical property control and physical properties. In this study, the magnetic field India plus electrical power supply in the direction of 90 °return to the rhombohedral crystal RMnO_3, and other magnetic residential electronic systems are used in this study. In this study, in the field of this study, in the magnetic field, the magnetic field, India and India, in the direction of 90 °return temperature, orthorhombic crystal Rhombohedral crystal, etc., the method of controlling the wall of magnetic residential electronics is developed. The following is an example of TB _ & lt;1-x>Dy_xMnO_3 research and description. The initial temperature test results show that the electrical and mechanical devices under the magnetic field are very important to the temperature field. The results of the test results, the results of the results, the results of the test results, the results of the It is necessary to send the electricity rate of low-cycle electricity to the electricity rate of low-cycle electricity. It is necessary to reduce the frequency of electrical power supply in the second half of the year, and the workability of the wall is different. The electrical equipment is used to determine the results of the electrical efficiency test and the magnetic field printing and strengthening materials are dependent on the electrical power supply system and the electric power system. Under the magnetic field, the electrical equipment is very important to the electrical power system, while the electrical power system is in the same direction. In this study, the magnetic strength of the battery is 90 °. The thickness of the wall wall is not affected by the measurement of the ease of movement, the magnetic field is formed into a system, and the system is possible.

项目成果

Magnetic-Field-Induced Polarization Flop in Multiferroic TmMn2O5

• DOI: 10.1103/physrevlett.103.077204
• 发表时间: 2009-08-14
• 期刊: PHYSICAL REVIEW LETTERS
• 影响因子: 8.6
• 作者: Fukunaga, M.;Sakamoto, Y.;Kohn, K.
• 通讯作者: Kohn, K.

Two distinct ferroelectric phases in the multiferroic Y-type hexaferrite Ba2Mg2Fe12O22

• DOI: 10.1103/physrevb.80.180419
• 发表时间: 2009-11-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Sagayama, Hajime;Taniguchi, Kouji;Hirota, Kazuma
• 通讯作者: Hirota, Kazuma

非共鳴円偏光x線回折によるマルチフェロイック物質のスピンカイラリティ観測

使用非共振圆偏振 X 射线衍射观察多铁性材料的自旋手性

• 发表时间: 2009
• 作者: 佐賀山基;谷口耕治;阿部伸行;有馬孝尚;山崎裕一;奥山大輔;十倉好紀;酒井創一朗;森田健史;徳田哲久;米須尚;大隅寛幸;高田昌樹
• 通讯作者: 高田昌樹

NnV_2O_4の磁場回転による磁気形状記憶効果

NnV_2O_4 磁场旋转产生的磁性形状记忆效应

• 发表时间: 2010
• 作者: 新居陽一;八木隆道;阿部伸行;谷口耕治;佐賀山基;有馬孝尚
• 通讯作者: 有馬孝尚

CuCrO_2におけるc軸方向の強誘電分極

CuCrO_2 中沿 c 轴的铁电极化

• 发表时间: 2010
• 作者: 志波恵;谷口耕治;佐賀山基;阿部伸行;新居陽一;有馬孝尚
• 通讯作者: 有馬孝尚