Study of electron emission in the reaction of highly charged ions with solid surface

高电荷离子与固体表面反应中电子发射的研究

基本信息

  • 批准号:
    21350008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

It is well known that a highly charged ion, that is an atom deprived of many electrons, causes emission of many electrons in the reaction(collision) with solid surfaces. The number of emitted electrons exceeds well beyond the charge number of highly charged ions. In some cases, the electrons are spin-polarized, which means that the spin(associated as the direction of the axis of spinning top) is aligned in a certain direction. To investigate this phenomenon, we have already built a spin polarimeter. In this study we designed and constructed a separate polarized electron beam source for the purpose of calibrating the polarimeter.
众所周知,高电荷离子,即被剥夺了许多电子的原子,在与固体表面的反应(碰撞)中导致许多电子的发射。发射出的电子数远远超过高电荷离子的电荷数。在某些情况下,电子是自旋极化的,这意味着自旋(与旋转陀螺的轴的方向相关联)在某个方向上对齐。为了研究这种现象,我们已经建立了一个自旋偏振仪。在本研究中,我们设计并制作了一个独立的极化电子束源,用于极化仪的校准。

项目成果

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Radiative and collisional processes of highly charged heavy ions studied with electron beam ion traps
用电子束离子阱研究高带电重离子的辐射和碰撞过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yasunobu Kodama;Kaoru Ohno;M. Katsuragawa and K. R. Pandiri;中村信行
  • 通讯作者:
    中村信行
Growth of single-crystal SiO2 clusters on Si(001) surface
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GaAsを用いたスピン偏極電子線源の開発
使用GaAs的自旋极化电子束源的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石黒雄介;山田千樫;中村信行
  • 通讯作者:
    中村信行
Guiding and blocking of highly charged ions through a single glass capillary
多価イオン照射による固体表面発光
多价离子辐照固体表面发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山崎詔;縄田裕治;中村信行;山田千樫;大谷俊介
  • 通讯作者:
    大谷俊介
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    $ 11.73万
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