Development of filtered-arc-deposition source with activated anode and preparation of functional-amorphous carbon film

活性阳极过滤电弧沉积源的研制及功能性非晶碳膜的制备

基本信息

  • 批准号:
    21360131
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

About a functional film deposition apparatus using the vacuum arc discharge plasma, we designed and developed a new filtered-arc-deposition system for doping dissimilar element into DLC film and preparing high-quality(high smoothness, uniform and droplet-free) DLC film. Apparatus function was assessed and dissimilar element doped DLC film was prepared.
在真空电弧等离子体功能薄膜沉积装置方面,我们设计并研制了一种新型的过滤电弧沉积系统,用于在DLC薄膜中掺杂异种元素,制备高质量(高平整度、均匀性、无液滴)DLC薄膜。对器件性能进行了评价,并制备了异种元素掺杂DLC膜。

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
磁気引出し型プラズマガンで生成したN2プラズマのプローブ診断
磁抽式等离子枪产生N2等离子体的探针诊断
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    堀井裕樹;柳田太一郎;神谷雅男;田上英人;須田善行;滝川浩史;瀧真;長谷川祐史;辻信広;石川剛史
  • 通讯作者:
    石川剛史
Ashing of DLC film by oxygen plasma beam converted from filtered carbon-cathodic-arc
过滤碳阴极电弧转化的氧等离子束灰化 DLC 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Sakamoto;T. Iida;S. Kurosaki;K. Yano;H. Taguchi;K. Nishio;and Y. Takanashi;松井幹彦;田上英人
  • 通讯作者:
    田上英人
高品質DLC膜形成に向けた真空アークプラズマビームの制御
真空电弧等离子束控制可形成高质量 DLC 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shinichiro MUROOKA;Keisuke TOMODA;Nobukazu HOSHI;Junnosuke HARUNA;Meifen CAO;Atsuhiro YOSHIZAKI and Keiichi HIRATA;滝川浩史
  • 通讯作者:
    滝川浩史
フィルタードアーク蒸着法で形成したDLC膜の膜質に及ぼす基板バイアスの影響
基底偏压对过滤电弧蒸镀法形成DLC膜膜质量的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Qi Zhang;Xiangdong Sun;Yanru Zhong;Biying Ren and Mikihiko Matsui;柏木大幸
  • 通讯作者:
    柏木大幸
真空アークプラズマを用いたDLC:Si:H膜の合成
采用真空电弧等离子体合成 DLC:Si:H 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤;佐野;鈴置;須藤利文;田上英人
  • 通讯作者:
    田上英人
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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  • 资助金额:
    $ 11.65万
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    1993
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    62750711
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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  • 批准号:
    X44090----385070
  • 财政年份:
    1969
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

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