Anionen- und Kationen-Substitution in Nitridosilicaten, Oxonitridosilicaten und Oxonitridoalumosilicaten und deren Einfluss auf die Materialeigenschaften

Nitridosilicate和oxonnitridosilicate (Sione) können als Untergruppe der oxonnitridoalumosilicate (Sione) aufgefaßt werden, in denen particles ell Stickstoff-Atome des gerstes durch O bzw。四聚甲醛（Si）取代铝。他存在着一种新概念，一种新概念，一种新概念，一种新概念，一种新概念。Anionen-Substitution erlauben。一个ausgewählten Beispielen der Nitridosilicate， oxonnitrido矽酸盐和oxonnitridoal硅酸盐sollen die einflu.faktoren f<e:1> r die Synthese definierter Substitutions-Vertreter erarbeitewerden和gleichzeitedie Grenzen der Substituierbarkeit (Phasenbreiten) herausgefundenwerden，所以daß gezielt definierte Vertreter dieser verindungen synthestisierwerden können。[2]平行合成与阴离子取代的研究[j]。力学与光学（本征性特征）。Da druckinduzierte struckturelle Änderungen häufig sehr viel größer sind als Änderungen durch 'chemischen Druck', d.h. durch Substitution struckturelle Baueinheiten mit unterschiedlichem Platzbedarf, sollen in si - hochdruckuntersuchungen die Experimente zur Substitution ergänzen und erweteren。Neben den druck- und temperaturabhängigen in situi - untersuchungen sollen - ß - erdem参数自由，量子力学，量子力学[j]。氮化硅，氧化氮化硅和氧化氮化铝硅化硅的结构特征研究[j]。在此基础上，研究了两种方法：一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的，一种是基于弹性的。Grundlage der Untersuchungen sand die von den Antragstellern in den letzten Jahren erzielten signalkanten forschritte in der Präparation der Nitridosilicate， oxonnitridosilicate和oxonnitridoalosilicate。本文提出了一种新的合成方法。Dazu sollen auch zeitaufgelöste Messungen während der Kristallisation durchgef<s:1> hrt werden sowie die Kiel-Berlin-Hochdruck/Hochtemperaturzelle und ein neu entwickelter Widerstandsofen eingesetzt werden。

Nitridosilicate und Oxonitridosilicate (Sione) können als Untergruppe der Oxonitridoalumosilicate (Sialone) aufgefaßt werden, in denen partiell Stickstoff-Atome des Gerüstes durch O bzw. Tetraederzentren (Si) durch Al substituiert wurden. Es existieren einige Beispiele aus diesen Verbindungsklassen, die eine erhebliche Kationen- bzw. Anionen-Substitution erlauben. An ausgewählten Beispielen der Nitridosilicate, Oxonitridosilicate und Oxonitridoalumosilicate sollen die Einflußfaktoren für die Synthese definierter Substitutions-Vertreter erarbeitet werden und gleichzeitig die Grenzen der Substituierbarkeit (Phasenbreiten) herausgefunden werden, so daß gezielt definierte Vertreter dieser Verbindungen synthetisiert werden können. Parallel zu den synthetischen Untersuchungen soll der Einfluß von Kationen- und Anionen-Substitution auf die Materialeigenschaften (insbes. mechanische und optische Eigenschaften) der untersuchten Verbindungen quantitativ ermittelt werden. Da druckinduzierte strukturelle Änderungen häufig sehr viel größer sind als Änderungen durch 'chemischen Druck', d.h. durch Substitution struktureller Baueinheiten mit unterschiedlichem Platzbedarf, sollen in situ-Hochdruckuntersuchungen die Experimente zur Substitution ergänzen und erweitern. Neben den druck- und temperaturabhängigen in situ-Untersuchungen sollen außerdem parameterfreie, quantenmechanische Rechnungen bzgl. der Struktur-Eigenschaftsbeziehungen von Nitridosilicaten, Oxonitridosilicaten und Oxonitridoalumosilicaten durchgeführt werden. Die Bestimmung von Bindungsstärken und -typen, von elastischen Eigenschaften und von strukturellen Variationen als Funktion der Zusammensetzung sowie des Druckes wird ein Verständnis der Substitutionseffekte in dieser Substanzklasse ermöglichen und somit einen wesentlichen Schritt zur Synthese von Materialien mit maßgeschneiderten Eigenschaften ermöglichen. Grundlage der Untersuchungen sind die von den Antragstellern in den letzten Jahren erzielten signifikanten Fortschritte in der Präparation der Nitridosilicate, Oxonitridosilicate und Oxonitridoalumosilicate. Die etablierten Syntheseverfahren sollen hier apparativ und methodisch weiter entwickelt werden. Dazu sollen auch zeitaufgelöste Messungen während der Kristallisation durchgeführt werden sowie die Kiel-Berlin-Hochdruck/Hochtemperaturzelle und ein neu entwickelter Widerstandsofen eingesetzt werden.