Theory on band-gap control and correlation effects in semiconductors
半导体带隙控制和相关效应理论
基本信息
- 批准号:21740231
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In decreasing the bandgap of the direct semiconductor, the nonparabolicity of the energy band is enhanced, and the Dirac electron system with linear dispersion is realized at zero band gap. Further making the bandgap negative, one could obtain the semimetallc electron-hole systems. We study the effect of correlation in these Dirac and semimetallic electron-hole systems. We particularly clarified the following five issues;(1) cyclotron resonance on grapheme under strong magnetic field(2) novel pair condensations in electron-hole bilayers with density unbalance(3) biexcitons and trions in semiconducting carbon nanotubes(4) global phase diagrams of low-dimensional electron-hole systems(5) Designing of Dirac points in energy band.
通过减小直接半导体的带隙,增强了能带的非抛物线性,实现了零带隙的线性色散狄拉克电子系统。进一步使带隙为负,可以得到半金属电子空穴系统。我们研究了这些狄拉克和半金属电子空穴系统中的关联效应。我们特别澄清了以下五个问题:(1)强磁场下石墨烯的回旋共振(2)密度不平衡电子空穴双层膜中的新型对凝聚(3)半导体碳纳米管中的双激子和三重子(4)低维电子空穴体系的全局相图(5)能带中Dirac点的设计。
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:福田圭介;ほか
- 通讯作者:ほか
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- DOI:
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Yoshita;et al
- 通讯作者:et al
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- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Ohashi;T. Ueda;K. Asano;T. Ogawa
- 通讯作者:T. Ogawa
Designing Dirac points in two-dimensional lattices
- DOI:10.1103/physrevb.83.245125
- 发表时间:2011-06-27
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Asano, Kenichi;Hotta, Chisa
- 通讯作者:Hotta, Chisa
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