Development of a single molecule sensing device with nanogap electrodes formed of few-layer graphene

开发具有由少层石墨烯形成的纳米间隙电极的单分子传感装置

• 批准号: 21760014
• 负责人: WATANABE Eiichiro
• 金额: $ 3万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760014/
• 关键词: グラフェン; ナノギャップ; ナノ材料; 量子デバイス; ナノコンタクト

We fabricated graphene-based nanogap electrodes and investigated a contact resistance between graphene and metallic electrodes for the realization of a single molecule sensing device. As a result, we established the nanogap-fabrication process in few-layer graphene by utilizing an electrical breakdown method. In addition, we investigated the contact resistance by utilizing a transmission line method. The results indicated that the fabrication process and procedure were very important for developing the low resistance ohmic contact to the graphene. These findings are expected to contribute to progress in the development of graphene-based nanoelectronic devices.

我们制作了石墨烯基纳米间隙电极，并研究了石墨烯和金属电极之间的接触电阻，以实现单分子传感器件。因此，我们建立了纳米间隙的制造过程中，利用电击穿的方法在几层石墨烯。此外，我们研究了接触电阻，利用传输线的方法。结果表明，制备工艺和过程对石墨烯的低电阻欧姆接触的发展至关重要。这些发现预计将有助于石墨烯基纳米电子器件的发展。

项目成果

自己形成InAs量子ドットを用いたSQUIDにおける多重アンドレーエフ反射

使用自组装 InAs 量子点在 SQUID 中进行多次安德烈耶夫反射

• 发表时间: 2010
• 作者: 神尾充弥;中島翔;気谷卓;深川尚義;金鮮美;石黒亮輔;渡辺英一郎;津谷大樹;柴田憲治;平川一彦;高柳英明
• 通讯作者: 高柳英明

Fe_<3-δ>O_4ナノ粒子のポストアニール効果

Fe_<3-δ>O_4纳米粒子的后退火效应

• 发表时间: 2010
• 作者: 伊藤直樹;木田徹也;渡辺英一郎;津谷大樹;手塚泰久;石渡洋一
• 通讯作者: 石渡洋一

グラフェンナノ構造の単一電子輸送特性

石墨烯纳米结构的单电子传输特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 森山悟士;津谷大樹;渡辺英一郎;宇治進也
• 通讯作者: 宇治進也

グラフェントランジスタおよびその製造方法

石墨烯晶体管及其制造方法

• 发表时间: 2010

Production of extended single-layer graphene.

• DOI: 10.1021/nn103428k
• 发表时间: 2011-01
• 期刊: ACS nano
• 影响因子: 17.1
• 作者: Mingsheng Xu;D. Fujita;K. Sagisaka;E. Watanabe;N. Hanagata