Plasma assisted atomic layer deposition with metastable atom exposure
Plasma assisted atomic layer deposition with metastable atom exposure
批准号:
21760033
负责人:
KITAJIMA Takeshi
金额:
$3.08万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2011
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Atomic layer deposition(ALD) is the powerful processing method for the formation of nano thin films with finite thickness control. Low pressure plasma is applied for ALD process to enhance the surface reaction for the reduction of the film impurities. In the paper, HfO2 film deposition from Tetrakis EthylMethyl Amino Hafnium(TEMAH) and Ar diluted O2 plasma is shown as an example. The films are analyzed by X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS), Atomic Force Microscopy(AFM).
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Nitrogen Plasma induced HfSiON growth from Hf nanoparticles on SiO_2/Si(100)-Roughness improvement by interfacial SiO_2-
氮等离子体诱导 Hf 纳米粒子在 SiO_2/Si(100) 上生长 HfSiON -通过界面 SiO_2- 提高粗糙度
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Sugimoto, N.Ikeda, N.Ozaki, Y.Watanabe, S.Ohkouchi, T.Kuroda, T.Mano, T.Ochiai, K.Kuroda, N.Koguchi, K.Sakoda, K.Asakawa, 北嶋武]
通讯作者:
北嶋武
窒素プラズマ誘起固液界面反応によるHfSiON膜作製:界面SiO_2との反応過程
氮等离子体诱导固液界面反应制备HfSiON薄膜:界面SiO_2的反应过程
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H.Ichikawa, S.Nozawa, T.Sato, A.Tomita, K.Ichiyanagi, M.Chollet, L.Guerin, N.Dean, A.Cavalleri, S.Adachi, T.Arima, H.Sawa, Y.Ogimoto, M.Nakamura, R.Tamaki, K.Miyano, S.Koshihara, 北嶋武]
通讯作者:
北嶋武
プラズマ支援原子層堆積プロセスによるナノスケール薄膜の形成と評価
等离子体辅助原子层沉积工艺纳米级薄膜的形成和评估
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
防衛大学校理工学研究報告
影响因子:
--
作者:
[北嶋武, 中野俊樹]
通讯作者:
中野俊樹
SiO_2膜上Hfナノ粒子への窒素プラズマ照射によるHfSiON膜作製
SiO_2薄膜上Hf纳米粒子氮等离子体辐照制备HfSiON薄膜
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H.Ichikawa, S.Nozawa, T.Sato, A.Tomita, K.Ichiyanagi, M.Chollet, L.Guerin, N.Dean, A.Cavalleri, S.Adachi, T.Arima, H.Sawa, Y.Ogimoto, M.Nakamura, R.Tamaki, K.Miyano, S.Koshihara, 北嶋武, Masao Nakamura, 北嶋武]
通讯作者:
北嶋武
海外基金