高エネルギー密度型金属空気電池デバイスの研究
高エネルギー密度型金属空気電池デバイスの研究
批准号:
10F00391
负责人:
本間 格
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2012
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英文摘要
本研究では革新的エネルギーデバイスである金属空気電池の構築のための新規電極・電解質の材料設計を行った。高活性な酸化物電極触媒は金属空気電池の出力特性を向上させることが出来るとともに、水素製造やリチウム空気電池への展開も可能である。特に温暖化対策のキーテクノロジーとして注目されている電気自動車では高エネルギー密度の蓄電池開発が重要であるが、次世代電池としての最有力候補は金属空気電池である。金属空気電池の中でも最高のエネルギー密度を有するのはリチウム空気電池であるが、このタイプの電池では金属リチウムを負極として、空気(酸素ガス)を正極活物質として用いるため、別の見方をすればリチウムを燃料とした燃料電池とも言える。Baek Seung-Wook博士の平成22年度の研究においてはナノ構造電極触媒とリチウムイオン伝導性の固体電解質の設計と材料開発を行い、そのイオン伝導特性の評価を行った。平成22年度、Baek博士の設計した画期的な電解質材料はナノ結晶Li_3PO_4からなる高イオン伝導性でリチウム負極に還元耐性のある新しい固体電解質材料を開発した。ナノ結晶Li_3PO_4とイオン液体とのコンポジット型電解質を作製し、その固体材料としてのリチウムイオン伝導性を評価した結果、10^<-3>S/cmの高いリチウムイオン伝導度を有していることが判明した。これらの新規開発した固体電解質とリチウム金属を接合させヘテロ界面の電気化学的安定性と電荷移動特性を評価した結果、リチウム金属負極への還元耐性を有しながら高い電荷移動特性を有した優れたヘテロ界面が形成されていることが判明した。この新規固体電解質の研究を進捗させ、空気電池と全固体型二次電池への応用を今後検討する。
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会议论文
Organic nanocrystalline heterostructures for high energy density electrode materials
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批准号:21H04696
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.71万
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财政年份:2021
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负责人:本間 格
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依托单位:
高出力・高エネルギー密度二次電池の革新的電極材料開発
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批准号:15F15903
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2015
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负责人:本間 格
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依托单位:
高出力・高エネルギー密度型リチウムイオン電池の研究開発
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批准号:13F03070
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:本間 格
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依托单位:
高エネルギー密度型リチウム二次電池材料の研究
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批准号:11F01074
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2011
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负责人:本間 格
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依托单位:
グラフェンを用いた高性能リチウム電池電極材料の開発
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批准号:10F00207
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2010
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负责人:本間 格
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依托单位:
超臨界流体を用いたリチウム電池用電極材料の革新的合成法の研究
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批准号:09F09510
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2009
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负责人:本間 格
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依托单位:
ナノ構造を有する酸化物高誘電物体材料の合成プロセスと物性
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批准号:05750667
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:本間 格
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依托单位:
アモルファス半導体超格子のヘテロ界面構造と光電特性
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批准号:03750677
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:本間 格
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依托单位:
アモルファス半導体ヘテロ界面形成過程のin-situ観察
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批准号:02750658
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1990
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负责人:本間 格
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依托单位:
Ge系アモルファス半導体多層膜の新合成法と物性制御の研究
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批准号:62750848
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:本間 格
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依托单位:
Ge系アモルファス半導体多層薄膜の作成と物性制御の研究
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批准号:61750877
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1986
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负责人:本間 格
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依托单位:
海外基金