マイクロプラズマによるシリコン量子ドット合成と量子ドット増感太陽電池への応用

利用微等离子体合成硅量子点及其在量子点敏化太阳能电池中的应用

基本信息

项目摘要

シリコンは結晶のサイズを10nm以下にすることで量子サイズ効果が発現し,その大きさによってバンドギャップの大きさを制御できる。すなわち,結晶のサイズによって吸収する太陽光スペクトルを紫外から近紫外までチューニングすることができる。このような,量子サイズ効果を利用した次世代太陽電池の開発が世界中で行われているが,発電効率20%を上回る太陽電池の開発は未だ報告されていない。その原因として,量子ドットのサイズ分布や位置制御を原子スケールで制御するには至っていないことがあげられる。本研究では,予め気相合成したシリコンナノ粒子を溶媒に分散させたシリコンインクを作製し,これをスピンキャスティング(塗布プロセス)によって均一な薄膜に加工する方法を開発した。これを用いて光吸収特性を調べた結果,シリコンの直接遷移に相当するエネルギーギャップ(紫外領域)に顕著なサイズ効果が出現することを明らかにした。一方,間接遷移に対応するエネルギーギャップ(可視~近赤外)には明確なサイズ依存性が発現しないことも同時に明らかにした。そこで,量子サイズ効果だけでなく,大きな比表面積を有する点に着目し,p型半導体有機材料(P3HT)とシリコン量子ドットをブレンドし,バルクヘテロジャンクション(BHJ)構造を有する量子ドット増感太陽電池を開発した。その結果,シリコン量子ドットの重量割合が約60%に相当する場合,発電効率約1%を達成した。これは,我々が既に開発したショットキーバリア太陽電池の発電効率0.01%をはるかに上回っており,適切な半導体材料との組み合わせにより,シリコン量子ドットによる光キャリアの生成,分離,輸送を改善できることを明確に示している。今後,より分散性の高いシリコンインクの作製と最適なBHJ構造の探索,さらにシリコン量子ドットのドーピングが,飛躍的な効率向上に不可欠である。
The quantum effect of the crystal below 10 nm can be observed, and the crystal can be controlled. The crystal absorbs sunlight, and the ultraviolet light absorbs sunlight. The development of solar cells of the next generation has been reported in the world with a power efficiency of 20%. The reason for this is that the quantum distribution and position control of atoms are controlled by the quantum distribution and position control. In this study, a method for preparing uniform thin films by phase synthesis, solvent dispersion and coating was developed. The light absorption characteristics of the light source are adjusted, and the direct migration of the light source is equivalent to the occurrence of the light source in the ultraviolet region. On the one hand, indirect migration is the most important way to achieve this goal. In this paper, quantum technology has been developed for p-type semiconductor organic materials (P3HT) and quantum technology (BHJ). As a result, when the weight separation of the semiconductor substrate is about 60%, the transmission efficiency is about 1%. In response to this, we have developed a solar cell with a transmission efficiency of 0.01% and an improvement in the generation, separation and transport of light from appropriate semiconductor materials and assemblies. In the future, the high dispersion and optimum operation of BHJ structure will be explored, and the rapid efficiency will be improved.

项目成果

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Plasma synthesis of silicon quantum dots and application to organic/inorganic hybrid photovoltaics
硅量子点的等离子体合成及其在有机/无机混合光伏中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y Ding;R Gresback. K Okazaki;T Nozaki
  • 通讯作者:
    T Nozaki
Enhancing P3HT/PCBM solar cell efficiency by employing silicon quantum dots
采用硅量子点提高 P3HT/PCBM 太阳能电池效率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y Ding;R Gresback. K Okazaki;T Nozaki
  • 通讯作者:
    T Nozaki
インフライトプラズマCVDによるシリコン量子ドット合成:収量及び粒径分布計測
通过飞行等离子体 CVD 合成硅量子点:产量和粒度分布测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山田陸、Ryan Gresback. 岡崎健;野崎智洋
  • 通讯作者:
    野崎智洋
Silicon Nanocrystal Thin-Films : Fabrication and Modification of Transport Properties
硅纳米晶薄膜:传输特性的制备和改性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R.Gresback;Riku Yamada;Ken Okazaki;Tomohiro Nozaki
  • 通讯作者:
    Tomohiro Nozaki
Synthesis and oxidation of luminescent silicon nanocrystals from silicon tetrachloride by very high frequency nonthermal plasma
  • DOI:
    10.1088/0957-4484/22/30/305605
  • 发表时间:
    2011-07-29
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.5
  • 作者:
    Gresback, Ryan;Nozaki, Tomohiro;Okazaki, Ken
  • 通讯作者:
    Okazaki, Ken
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グレスバック ライアン (2010, 2012)其他文献

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