Principles for the development of a diffusion barrier layer to overcome the process limitations of multi-layer interconnects for semiconductor devices
Principles for the development of a diffusion barrier layer to overcome the process limitations of multi-layer interconnects for semiconductor devices
批准号:
22226012
负责人:
KOIKE Junichi
金额:
$67.97万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010-04-01 至 2015-03-31
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Specific contact resistivity measurements between Cu alloy and ZnGaAs using by Refined TLM
使用 Refined TLM 测量铜合金和 ZnGaAs 之间的比接触电阻率
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[B. T. Bae, D. Ando, Y.Sutou, and J. Koike]
通讯作者:
and J. Koike
What can we do about barrier layer scaling to 5 nm node technology
对于势垒层微缩至 5 nm 节点技术,我们能做些什么
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Urakawa, K. Ohtsuka, S. Abe, T. Ito, and T. Nakamura, 吉川信行, Junichi Koike]
通讯作者:
Junichi Koike
The contact properties and TFT structures of oxide semiconductor TFTs combined with metal electrodes
氧化物半导体TFT与金属电极结合的接触特性及TFT结构
DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[P.S.Yun, J.Koike]
通讯作者:
J.Koike
Cu Alloy TFT Electrodes for Advanced Displays
用于高级显示器的铜合金 TFT 电极
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J.Koike, K.Hirota, P.S.Yun, Y.Sutou]
通讯作者:
Y.Sutou
Grawth and diffusion barrier properties of CVD Mn oxide in a TSV structure
TSV 结构中 CVD 氧化锰的生长和扩散阻挡特性
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hao Wang, Yuji Sutou, Ando Daisuke, Junichi Koike, Kangwook Lee, Jicheil Bae, Mariappan Murugesan, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi]
通讯作者:
and Mitsumasa Koyanagi
共 51 条
Perioperative Monitoring of Serum RalA Autoantibodies in the Patients Treated with Radical Surgery
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批准号:26462029
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.16万
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财政年份:2014
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负责人:KOIKE Junichi
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依托单位:
Role of Deformation twinning on the deformation and fracture of magnesium alloys
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批准号:18360325
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.4万
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财政年份:2006
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负责人:KOIKE Junichi
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依托单位:
Void Formation Mechanisms in Cu Interconnect for Ultra Fast ULSI Application
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批准号:13450281
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$5.7万
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财政年份:2001
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负责人:KOIKE Junichi
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依托单位:
Improvement of Mechanical Properties in Mg Alloys by Optimum Microstructure Control
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批准号:11225202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$14.91万
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财政年份:1999
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负责人:KOIKE Junichi
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依托单位:
国内基金
海外基金
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高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王晓丽
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依托单位:
汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:林改
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依托单位:
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
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批准号:JCZRMS202600414
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
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批准号:2026JJ50456
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:谭彦妮
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依托单位:
二维卤化物铁电钙钛矿电子态及电子输运性质研究与调控
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批准号:2026JJ50114
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘标
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依托单位:
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
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批准号:2026JJ50115
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:陈智慧
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依托单位:
基于光交联的高稳定性图案化电致变色薄膜及其多色显示器件
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批准号:ZCLMS26E0302
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:李锦
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依托单位:
用于粉体农药包装PVA薄膜的研发
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:丁长明
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依托单位:
智能化柔性光电薄膜材料精准制备平台
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批准号:JCZRMS202601078
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
钙钛矿准单晶薄膜的原子级气相沉积及其太阳能电池研究
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批准号:JCZRQNA202600009
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位: