Principles for the development of a diffusion barrier layer to overcome the process limitations of multi-layer interconnects for semiconductor devices
开发扩散阻挡层以克服半导体器件多层互连工艺限制的原理
基本信息
- 批准号:22226012
- 负责人:
- 金额:$ 67.97万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Specific contact resistivity measurements between Cu alloy and ZnGaAs using by Refined TLM
使用 Refined TLM 测量铜合金和 ZnGaAs 之间的比接触电阻率
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:B. T. Bae;D. Ando;Y.Sutou;and J. Koike
- 通讯作者:and J. Koike
What can we do about barrier layer scaling to 5 nm node technology
对于势垒层微缩至 5 nm 节点技术,我们能做些什么
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Urakawa;K. Ohtsuka;S. Abe;T. Ito;and T. Nakamura;吉川信行;Junichi Koike
- 通讯作者:Junichi Koike
The contact properties and TFT structures of oxide semiconductor TFTs combined with metal electrodes
氧化物半导体TFT与金属电极结合的接触特性及TFT结构
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:P.S.Yun;J.Koike
- 通讯作者:J.Koike
Cu Alloy TFT Electrodes for Advanced Displays
用于高级显示器的铜合金 TFT 电极
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J.Koike;K.Hirota;P.S.Yun;Y.Sutou
- 通讯作者:Y.Sutou
Grawth and diffusion barrier properties of CVD Mn oxide in a TSV structure
TSV 结构中 CVD 氧化锰的生长和扩散阻挡特性
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hao Wang;Yuji Sutou;Ando Daisuke;Junichi Koike;Kangwook Lee;Jicheil Bae;Mariappan Murugesan;Takafumi Fukushima;Tetsu Tanaka;and Mitsumasa Koyanagi
- 通讯作者:and Mitsumasa Koyanagi
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