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Nano-capacitor fabrication process development by using supercritical fluid
利用超临界流体开发纳米电容器制造工艺
基本信息
- 批准号：22360329
- 负责人：
- 金额：$ 12.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Process for nano-capacitors to be used in DRAMs and FeRAMs using supercritical CO2 (scCO2) was developed. Organic metal compounds were dissolved into scCO2 and reacted to form thin films on a heated substrate. This process, Supercritical Fluid Deposition, SCFD, was used to deposit Ru, Pt, and SrRuO3 as an electrode. TiO2, SrTiO3, and BiTiO3 were also deposited as a high-dielectric constant material and ferroelectric material. The developed processes showed excellent step coverage like as the conventional processes of CVD/ALD with lower deposition temperature.
开发了使用超临界CO2（scCO 2）的DRAM和FeRAM中使用的纳米电容器的工艺。将有机金属化合物溶解到scCO 2中并反应以在加热的基底上形成薄膜。该工艺，即超临界流体沉积（SCFD），用于存款Ru、Pt和SrRuO 3作为电极。还沉积TiO 2、SrTiO 3和BiTiO 3作为高介电常数材料和铁电材料。所开发的工艺表现出优异的台阶覆盖率，就像具有较低沉积温度的CVD/ALD常规工艺一样。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Deposition Mechanism of Metal Oxide for FeRAM Electrode using Flow Type Supercritical Fluid Deposition Reactor
使用流动式超临界流体沉积反应器沉积 FeRAM 电极金属氧化物的机理
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kyubong Jung;Yu Zhao;Takeshi Momose;and Yukihiro Shimogaki
- 通讯作者：and Yukihiro Shimogaki
超臨界流体を利用した次世代DRAM用高誘電体薄膜作製プロセスの開発
使用超临界流体开发下一代 DRAM 高介电薄膜制造工艺
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：渡邊圭;百瀬健;霜垣幸浩
- 通讯作者：霜垣幸浩
Step Coverage Quality of Cu Films by Supercritical Fluid Deposition Compared with Chemical Vapor Deposition
超临界流体沉积与化学气相沉积铜膜的阶梯覆盖质量比较
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Kenichiro Hirata;Shunsuke Gomi;Yasuhiro Mashiko;Shigeki Nakagawa;Takeshi Momose
- 通讯作者：Takeshi Momose
Initial Cu Growth in Cu-Seeded and Ru-Lined Narrow Trenches for Supercritical Fluid Cu Chemical Deposition
用于超临界流体铜化学沉积的铜籽晶和 Ru 衬里窄沟槽中的初始铜生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：E.Kondoh;M.Matsubara;K.Tamai;Y.Shimogaki
- 通讯作者：Y.Shimogaki
RuO2 Deposition Using Supercritical Fluid Deposition (SCFD)
使用超临界流体沉积 (SCFD) 沉积 RuO2
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kyubong Jung;Takeshi Momose;and Yukihiro Shimogaki
- 通讯作者：and Yukihiro Shimogaki
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