Modeling of low-pressure high-density magnetic neutral loop discharge processing plasmas and analysis of their dynamic control
低压高密度磁中性回路放电加工等离子体建模及其动态控制分析
基本信息
- 批准号:22540500
- 负责人:
- 金额:$ 2.25万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Computer simulations of magnetic neutral loop discharge plasmasused for surface processing in fabrication of semiconductor integrated circuits have beenperformed. It was revealed that high-energy electrons were transported along theseparatrix of the magnetic field and generated reactive species there by dissociationof the medium gas. The flux of the reactive species on the semiconductor substrate washigh at the foot of separatrix. This result explained early experimental data well. Acontrol scheme for uniform wide-area processing by moving the foot of separatrix overthe substrate was proposed.
对用于半导体集成电路表面处理的磁中性环放电等离子体进行了计算机模拟。结果表明,高能电子沿着磁场的副面输运,并通过介质气体的离解在副面上产生活性粒子。在分界线的底部,半导体衬底上的反应物种的通量较高。这一结果很好地解释了早期的实验数据。提出了一种通过在衬底上移动分界线脚来实现均匀广域加工的控制方案。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉田拓平(発表者);菅原広剛;村山明宏;A. Yoshiasa;菅原広剛(発表者)
- 通讯作者:菅原広剛(発表者)
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中瀬貴文;比村治彦;塩野剛司;竹内信行;吉田拓平
- 通讯作者:吉田拓平
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
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- 通讯作者:菅原広剛
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浅見勇介(発表者);吉田拓平;菅原広剛
- 通讯作者:菅原広剛
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山本寛容(発表者);菅原広剛;村山明宏
- 通讯作者:村山明宏
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