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Fabrication of InSb-based high-speed and low power devices on Si by using surface reconstruction controlled epitaxy

表面重构控制外延在Si上制备InSb基高速低功耗器件

基本信息

批准号：
22560323
负责人：
MORI Masayuki
金额：
$ 2.83万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560323/
关键词：
InSb 表面再構成制御成長法 ALD quasi-pseudomorphic QW-MOSFETs ヘテロエピタキシー MOSFET Al2O3 SOI ヘテロエピタキシャル Al_2O_3 ヘテロエピタキシャル成長 MOSダイオード FET Si(111)基板

项目摘要

InSb has attracted much interest for application of ultra-fast and low power devices. To realize the InSb-based FET, we prepared the quasi-pseudomorphic quantum well MOSFETs, in which the thin InSb layer was grown on Si（111) substrate by using surface reconstruction controlled epitaxy,, and 10- 30nm-thick Al2O3 layer was deposited on the InSb layer. As the results, our quasi-pseudomorphic QW-MOFET device with 15nm-thick InSb layer, gate length of 5μm and gate width of 40μm showed high transconductance of 63mS/mm.

InSb在超快和低功耗器件中的应用引起了人们的极大兴趣。为了实现InSb基场效应晶体管，我们采用表面重构控制外延技术在Si（111）衬底上生长InSb薄层，并在InSb薄层上沉积10- 30 nm厚的Al_2 O_3层，制备了准赝晶量子阱MOSFET。结果表明，在InSb层厚度为15 nm、栅长为5μm、栅宽为40μm的条件下，所研制的准赝晶QW-MOFET器件的击穿电压高达63 mS/mm。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Heteroepitaxial growth of AlInSb on a Si(111) substrate using surface reconstruction controlled epitaxy

使用表面重构控制外延在 Si(111) 衬底上异质外延生长 AlInSb

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Mori;Y. Yasui;N. Nakayama;M. Miura;K. Maezawa
通讯作者：
K. Maezawa

Highelectron mobilityInSbfilms grown on Si(111) substrate Inand2x2-In surface reconstruction

在 Si(111) 衬底 Inand2x2-In 表面重建上生长的高电子迁移率 InSb 薄膜

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
S.Khamseh;K.Nakatani;K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa
通讯作者：
K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa

Effective mobility enhancement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs for thin InSb channel layer.

有效增强 Al2O3/InSb/Si 量子阱 MOSFET 中薄 InSb 沟道层的迁移率。

DOI：
10.7567/jjap.52.04cf01
发表时间：
2013
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
T. Ito;A. Kadoda;K. Nakayama;Y. Yasui;M. Mori;K. Maezawa;E. Miyazaki;T. Mizutani
通讯作者：
T. Mizutani

Effect of initial In coverage for preparation of InSb bilayer on electrical properties of InSb films grown by surface reconstruction controlled epitaxy

InSb双层制备的初始In覆盖率对表面重构控制外延生长的InSb薄膜电性能的影响