Fabrication of InSb quantum well on Si using surface reconstruction Assisted growth method and its application for ultra-fast FET

表面重构辅助生长法在Si上制备InSb量子阱及其在超快FET中的应用

• 批准号: 19760233
• 负责人: MORI Masayuki
• 金额: $ 2.45万
• 依托单位: University of Toyama
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760233/
• 关键词: 電子デバイス・集積回路; ヘテロエピタキシャル成長; 表面再構成制御成長法; InSb; ヘテロエピタキシャル; Si; リソグラフィー; ラインアンドスペース; 量子井戸; AIInSb; KOH

InSb has attracted much interest for application of ultra-fast and low power devices. To realize the InSb-based FET, we grew the InSb and AlInSb films using new growth method called "Surface Reconstruction assisted growth", and evaluated them. The fully rotated InSb and AlInSb films were successfully grown using Si(111)-√<7>×√<3>-In surface reconstruction. However, due to its high hall concentration and low resistivity, trial FET didn't work as a transistor.

InSb在超快、低功耗器件中的应用引起了人们的广泛关注。为了实现基于InSb的FET，我们采用了一种新的生长方法“表面重建辅助生长”来生长InSb和AlInSb薄膜，并对它们进行了评价。利用Si(111)-√<7>×√<3>- in表面重建技术，成功地生长出了完全旋转的InSb和AlInSb薄膜。然而，由于其高霍尔浓度和低电阻率，试验FET不能作为晶体管工作。

项目成果

InSb films grown on the V-grooved Si(001) substrate with InSb bi-layer

在具有 InSb 双层的 V 形槽 Si(001) 衬底上生长的 InSb 薄膜

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physics Procedia 3
• 作者: M.Mori;S.Khamseh;T.Iwasugi;K.Nakatani;K.Murata;M.Saito;K.Maezawa
• 通讯作者: K.Maezawa

Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate

在图案化的 Si(001) 衬底上异质外延生长 InSb 薄膜

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physics Procedia 3
• 作者: T.Iwasugi;M.Mori;H.Igarashi;K.Murata;M.Saito;K.Maezawa
• 通讯作者: K.Maezawa

Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si (111) substrate by inserting AISb buffer layer

通过插入AISb缓冲层在Si（111）衬底上异质外延生长InSb薄膜

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Murata;N.B. Ahmad;M. Mori;T. Tambo;K. Maezawa
• 通讯作者: K. Maezawa

Heteroepitaxial growth of rotate AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate

Si(111) 衬底上 InSb 双层介导的旋转 AlInSb 层异质外延生长

• 发表时间: 2009
• 期刊: Physica Status Solidi (c) 6
• 作者: M.Saito;M.Mori;K.Ueda;K.Maezawa
• 通讯作者: K.Maezawa

InSb単分子層を介したSi(111)基板上めAIInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長

单层 InSb 在 Si(111) 衬底上异质外延生长 AlInSb 薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 中谷公彦;斉藤光史;上田広司;森雅之;前澤宏一
• 通讯作者: 前澤宏一