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Development of GaN pH sensor for the surveillance of cell culture

开发用于监测细胞培养的 GaN pH 传感器

基本信息

批准号：
22560332
负责人：
AO Jin-ping
金额：
$ 2.91万
依托单位：
The University of Tokushima
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

The goal of this research project is the development of pH sensor based on AlGaN/GaN heterostructure for the surveillance of cell culture. TiN Schottky electrode which could stand high temperature was developed using reactive sputtering. By optimizing the fabrication process of GaN MOSFET on AlGaN/GaN heterostructure which can be used as pH sensor, device with electron mobility of about 160 cm2/Vs was obtained. Through the research steps of design, fabrication, implementation and device evaluation, proper operation up to 80・C was confirmed. In the whole temperature ranges, near ideal sensitivity values were achieved.

本研究计划的目的是开发一种基于AlGaN/GaN异质结的pH传感器，用于细胞培养的监测。采用反应溅射法研制了耐高温TiN肖特基电极。通过优化AlGaN/GaN异质结上GaN MOSFET的制作工艺，得到了电子迁移率为160 cm 2/Vs的pH传感器器件。通过设计、制作、实施和器件评估的研究步骤，确认了在80 ℃下的正常工作。在整个温度范围内，接近理想的灵敏度值。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation

通过硼离子注入实现 GaN MOSFET 的场隔离

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Nishimoto;D. Y oshida;K. Ogata;and M.Tanabe;Mineo Kaneko;Yoshinari Kamakura;Ying Jiang
通讯作者：
Ying Jiang

Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure

AlGaN/GaN 异质结构上 GaN MOSFET 的表征

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Kinoshita;N. Sato and M. Yamada;Kentaro Kukita;Y. Kokubo;Qingpeng Wang
通讯作者：
Qingpeng Wang

Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure

DOI：
10.1016/j.vacuum.2012.02.038
发表时间：
2013
期刊：
Vacuum
影响因子：
4
作者：
J. Ao;Y. Naoi;Y. Ohno
通讯作者：
J. Ao;Y. Naoi;Y. Ohno

GaN MOSFET with a gate SiO2insulator deposited by silane-basedplasma-enhanced chemical vapor deposition

具有通过硅烷基等离子体增强化学气相沉积沉积的栅极 SiO2 绝缘体的 GaN MOSFET

DOI：
10.1002/pssc.201000489
发表时间：
2011
期刊：
Phys. Status Solidi C
影响因子：
0
作者：
Jin-Ping Ao;Katsutoshi Nakatani;Yuji Sogawa;Shiro Akamatsu;Young Hyun Kim;Takahiro Miyashita;Shin-ichi Motoyama;and Yasuo Ohno
通讯作者：
and Yasuo Ohno

Oxide Thickness Dependency on Threshold Voltage of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure

AlGaN/GaN 异质结构上 GaN MOSFET 的氧化物厚度对阈值电压的依赖性