Localized states and thermoelectric properties of vacancy-containing Sn-based clathrate compounds

含空位Sn基笼形化合物的定域态和热电性能

• 批准号: 22560698
• 负责人: KISHIMOTO Kengo
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560698/
• 关键词: 熱電材料; クラスレート; 欠損; 局在準位

Some thermoelectric clathrate compounds possess vacancies in their frameworks. Such vacancies usually affect their band structures, which dominate their thermoelectric properties. Thus, there is a possibility of improving thermoelectric properties by the control of vacancy-structures of such materials. We have studied the vacancy-structures, thermoelectric properties, and band structures of the clathrate compounds K8Sn44□2(□: vacancy). The clathrate samples exhibited order-disorder phase transitions at 320 K, where their electrical conductivities and power factors almost increased tenfold.

一些热电包合物在其框架中具有空位。这些空位通常会影响它们的能带结构，从而影响它们的热电性能。因此，有可能通过控制这种材料的空缺结构来改善热电性能。本文研究了笼形化合物K8Sn44□2（□：空位）的空位结构、热电性质和能带结构。包合物样品在320 K时表现出有序-无序相变，其电导率和功率因数几乎增加了10倍。

项目成果

欠損を有するクラスレート化合物K8Sn44の熱電気的特性

缺陷笼形化合物K8Sn44的热电性能

• 发表时间: 2011
• 作者: Y. Tanaka;M. Kondo;N. Miyazaki;R. Ueji;Goroh Itoh;岸本堅剛
• 通讯作者: 岸本堅剛

Preparation and thermoelectric properties of sintered n-type K_8M_8Sn_(38)(M = Al, Ga and In) with the type-I clathratestructureApplied

I型笼形结构烧结n型K_8M_8Sn_(38)(M=Al、Ga、In)的制备及其热电性能

• 发表时间: 2012
• 期刊: Physics
• 影响因子: 1.6
• 作者: M. Hayashi;K. Kishimoto;K. Akai;H. Asada;K. Kishio;and T. Koyanagi
• 通讯作者: and T. Koyanagi

欠損型クラスレート K_8(Sn,Ge)_44 焼結体の作製と熱電気的特性

缺陷包合物K_8(Sn,Ge)_44烧结体的制备及热电性能

• 发表时间: 2012
• 作者: 岸本堅剛;林雅弘;赤井光治;小柳剛
• 通讯作者: 小柳剛

Effect of Ge substitution on carrier mobilities and thermoelectric properties of sintered p-type Ba8Ga16+xSn30－x－yGey with the type-VIII clathrate structure

Ge取代对VIII型笼形结构烧结p型Ba8Ga16+xSn30－x－yGey载流子迁移率和热电性能的影响

• DOI: 10.1088/0022-3727/45/44/445306
• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
• 作者: F. H. Latief;K. Kakehi;武藤寛明，戸高 孝，榎園正人;竹内健司;K. Kishimoto
• 通讯作者: K. Kishimoto

K_8Ga_8Sn_38-xGe_xの作製とその熱電気的特性

K_8Ga_8Sn_38-xGe_x的制备及其热电性能

• 发表时间: 2011
• 作者: 福原丈織;林雅弘;岸本堅剛;浅田裕法;小柳剛
• 通讯作者: 小柳剛