Optical response using spin dynamics of InAs quantum dot cavity

利用 InAs 量子点腔的自旋动力学进行光学响应

• 批准号: 22760043
• 负责人: MORITA Ken
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760043/
• 关键词: 光制御; 量子ドット; 半導体光共振器; 超高速光スイッチ; 半導体スピン物性; 光物性; 光スイッチ; 半導体物性

We fabricated the GaAs/ AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots(QDs) for the ultrafast all optical switching due to the electron spin polarization rotation. The structure and its carrier decay time were characterized by the optical reflection and time-resolved optical measurements, respectively. In the optical communication waveband(~ 1. 5μm), we showed the fast decaying(<10 ps) electron spins are strongly polarized in the Er-doped InAs QDs in the cavity by the circular polarization time-resolved pump and probe methods. This indicates that the ultrafast all optical switching due to the electron spin polarization rotation is expected using the Er-doped InAs QD cavity.

利用电子自旋极化旋转特性，制备了掺铒InAs量子点的GaAs/ AlAs多层腔体，实现了超快全光开关。利用光学反射和时间分辨光学测量分别表征了结构和载流子衰减时间。在光通信波段(~ 1。通过圆极化时间分辨泵浦和探针方法，我们发现在腔内掺铒的InAs量子点中，快速衰减（<10 ps）的电子自旋是强极化的。这表明利用掺铒的InAs QD腔可望实现由电子自旋极化旋转引起的超快全光开关。

项目成果

GaAs/ AlAs Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Barriers for Ultrafast All-Optical Switches

用于超快全光开关的具有嵌入应变松弛 InGaAs 势垒中的掺铒 InAs 量子点的 GaAs/ AlAs 多层腔

• DOI: 10.1143/jjap.51.04dg06
• 发表时间: 2012
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Hyuga Ueyama;Tomoya Takahashi;Yoshinori Nakagawa;Ken Morita;Takahiro Kitada;Toshiro Isu
• 通讯作者: Toshiro Isu

歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの作製とその光学特性

应变弛豫势垒层内掺铒InAs量子点的制备及其光学性能

• 发表时间: 2011
• 作者: 上山日向;他
• 通讯作者: 他

歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを有するGaAs/ AlAs多層膜共振器の作製と光学特性

应变弛豫势垒层嵌入掺铒 InAs 量子点的 GaAs/AlAs 多层谐振器的制备及光学性能

• 发表时间: 2011
• 作者: 上山日向;他
• 通讯作者: 他

GaAs/AlAs結合共振器における二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生の時間領域分光測定

使用 GaAs/AlAs 耦合谐振器中的两种谐振器模式对太赫兹带差频率生成进行时域光谱测量

• 发表时间: 2011
• 作者: 森田健;他
• 通讯作者: 他

Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure

多层腔结构全光开关应变松弛势垒中嵌入 Er 掺杂 InAs 量子点的光学特性

• 发表时间: 2011
• 作者: H. Ueyama;dt al. T
• 通讯作者: dt al. T