Coherent Phonons of Isotopically Controlled Ge

同位素控制的 Ge 相干声子

• 批准号: 19760010
• 负责人: MORITA Ken
• 金额: $ 2.28万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760010/
• 关键词: 光物性; 半導体; 半導体光物性; 超高速分光; 光カー効果; 超高速光スイッチング; コヒーレントフォノン; 2光子吸収; 半導体多層膜; 内部電場増強効果

本研究目的は、同位体制御半導体中のコヒーレントフォノン物性を明らかにするものであったが、50fs以下のパルス幅が得られず、コヒーレントフォノンの観測を行う実験はできなかった。その代わりに本研究では、光通信帯における高性能な光カースイッチの実現に向けて1.5μm帯におけるポンププローブ系を構築し、GaAs/AlAs多層膜共振器構造の非線形光学応答の観測とその光スイッチング素子としての性能評価を行った。

The purpose of this study is to determine the physical properties of isotopic semiconductor materials. , のパルス片が得られず below 50fs, コヒーレントフォノンの観measurement を行う実験はできなかった.その世わりにThis research project, optical communication high-performance な光カースイッチの実成に向けて1.5μm帯にけるポンププローブsystem Performance evaluation of non-linear optical sensor structure and GaAs/AlAs multilayer resonator structure.

项目成果

ホームページ等。

主页等

歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果

掺杂对嵌入应变弛豫 InGaAs 势垒层中 InAs 量子点载流子弛豫的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: Y. Matsumiya;T. Iwashige;T. Inoue;H. Watanabe;Yumi Matsumiya and Hiroshi Watanabe;Matsumiya Y;森田健
• 通讯作者: 森田健

Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse

• DOI: 10.1002/pssc.200881522
• 发表时间: 2009-06
• 期刊: Physica Status Solidi (c)
• 作者: K. Morita;Toshiyuki Kanbara;S. Yano;T. Kitada;T. Isu

Applied Physics Letters 94

应用物理快报 94

• 发表时间: 2009
• 期刊: 162104
• 作者: K. Morita;H. Sanada;S. Matsuzaka;Y. Ohno;and H. Ohno
• 通讯作者: and H. Ohno

有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数(11n)A基板上のlnGaAs歪量子井戸の光学異方性評価

考虑有限势垒势的高折射率 (11n) A 衬底上 lnGaAs 应变量子阱的光学各向异性评估

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Matsumiya;T. Iwashige;T. Inoue;H. Watanabe;Yumi Matsumiya and Hiroshi Watanabe;Matsumiya Y;森田健;森田健;K. Morita;森田健
• 通讯作者: 森田健