Surface plasmon coupled stimulated emission from semiconductor/metal-nanostructure composites

半导体/金属纳米结构复合材料的表面等离子体耦合受激发射

• 批准号: 22760050
• 负责人: NAKAMURA Toshihiro
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Gunma University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760050/
• 关键词: 表面プラズモン; ランダムレーザー; 半導体

In this work, we investigate the surface plasmon enhancedstimulated emission and lasing from the semiconductor/metal-nanostructure composites.We demonstrated that the near-infrared and blue random lasing emissions from the GaAsand ZnSe particles. Furthermore, it is found that the GaN/Au nanocomposite powders showsthe surface plasmon assisted random lasing. We also showed the control of random lasingproperties of ZnO by surface plasmons in Ag nanoparticles.

在这项工作中，我们研究了半导体/金属纳米结构复合材料的表面等离子体增强受激发射和激光发射。我们证明了 GaAs 和 ZnSe 颗粒的近红外和蓝色随机激光发射。此外，还发现GaN/Au纳米复合粉末表现出表面等离子体辅助随机激光。我们还展示了银纳米颗粒中表面等离子体激元对 ZnO 随机激光特性的控制。

项目成果

酸化亜鉛/銀ナノ粒子の複合系におけるランダムレーザー発振特性

氧化锌/银纳米粒子复合体系的随机激光振荡特性

• 发表时间: 2013
• 作者: 古瀬裕章;他;中村俊博;Maiko Hosoda;中村俊博;Maiko Hosoda;中村俊博;細田真妃子;中村俊博;細田真妃子;細田真妃子;細田真妃子;薗田 （中村 俊博）
• 通讯作者: 薗田 （中村 俊博）

Blue-emitting ZnSe random laser

发射蓝光的 ZnSe 随机激光器

• 发表时间: 2010
• 期刊: Proceedings of SPIE
• 作者: T. Takahashi;T. Nakamura;and S. Adachi
• 通讯作者: and S. Adachi

半連続金属薄膜によるSiナノ結晶の発光遷移割合のゆらぎ

半连续金属薄膜对硅纳米晶发光跃迁比的波动

• 发表时间: 2012
• 作者: 中村俊博;古田和也;安達定雄
• 通讯作者: 安達定雄

Phosphorus and boron codoping of silicon nanocrystals by ion implantation: Photoluminescence properties

• DOI: 10.1103/physrevb.85.045441
• 发表时间: 2012-01
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Toshihiro Nakamura;S. Adachi;M. Fujii;K. Miura;S. Yamamoto

Spontaneous emission rate of Si nanocrystals modified by thin semicontinuous gold films

半连续金薄膜修饰硅纳米晶的自发发射率

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Nakamura;K. Furuta;and S. Adachi
• 通讯作者: and S. Adachi