Bipolar resistance switching in magnetic films for the memristive device application

用于忆阻器件应用的磁性薄膜中的双极电阻切换

• 批准号: 23656215
• 负责人: NAKAMURA Toshihiro
• 金额: $ 2.41万
• 依托单位: Osaka Electro-Communication University (2013)Kyoto University (2011-2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656215/
• 关键词: メモリスター; 抵抗スイッチング; ReRAM; マンガン酸化物; ペロブスカイト; 電気化学インピーダンス法; 分光エリプソメトリー; プラズマ還元; 酸化物エレクトロニクス; 交流インピーダンス法; 薄膜; 電子・電気材料; 電子デバイス・機器; 磁性

Recently, bipolar resistance switching of metal oxide has been identified as being physical examples of memristors and/or memristive devices. The underlying mechanism of the memristive switching behavior is still poorly understood, although there have been various proposed models of the resistance switching mechanism. The comprehensive understanding for the origin of the memristive switching is required to meet the requirement for the next-generation memristive device application. In this work, the mechanism of bipolar resistance switching was investigated in perovskite manganite films for memristive devices. Impedance spectroscopic measurements indicated that the interface resistance significantly depends on the dopant concentration in the film. The correlation between dielectric function and resistance switching behavior was found by spectroscopic ellipsometry. The voltage required for resistance switching was reduced by plasma-assisted reduction of the film surface.

最近，金属氧化物的双极电阻切换已经被识别为忆阻器和/或忆阻器件的物理示例。忆阻开关行为的基本机制仍然知之甚少，尽管已经提出了各种电阻开关机制的模型。为了满足下一代忆阻器件的应用需求，需要对忆阻开关的起源有一个全面的了解。本文研究了钙钛矿锰氧化物薄膜在忆阻器件中的双极电阻开关机理。阻抗谱测量表明，界面电阻显着依赖于在膜中的掺杂浓度。通过椭圆偏振光谱分析发现了介电函数与电阻开关行为之间的相关性。通过等离子体辅助减少膜表面，降低了电阻切换所需的电压。

项目成果

タンデム型光電気化学セル実現へ向けた紫外光吸収層の高周波マグネトロン成膜

高频磁控沉积紫外光吸收层实现串联光电化学电池

• 发表时间: 2013
• 作者: 秋山智英;中村敏浩;酒井道
• 通讯作者: 酒井道

Crystallinity and composition dependence of resistance switching in manganite films : A study by impedance spectroscopy

亚锰酸盐薄膜中电阻转换的结晶度和成分依赖性：阻抗谱研究

• 发表时间: 2012
• 作者: 藪修平;田頭健司;田中雄真;吉田浩之;藤井彰彦;上原昇;菊池裕嗣;尾崎雅則;近藤英一，渡邉満洋，望月裕文，後藤利章;T. Nakamura
• 通讯作者: T. Nakamura

分光エリプソメトリーを用いたPr_<1-x>Ca_xMnO_3薄膜の光学的解析

使用光谱椭圆光度法对 Pr_<1-x>Ca_xMnO_3 薄膜进行光学分析

• 发表时间: 2013
• 作者: 山田昌樹;中村敏浩
• 通讯作者: 中村敏浩

Preparation of improved absorptive Si solar cells with TiO2 thin films

TiO2薄膜改进型吸收式硅太阳能电池的制备

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Akiyama;T. Nakamura;and O. Sakai
• 通讯作者: and O. Sakai

プラズマによりエッチング処理したPr1-xCaxMnO3薄膜の電気的特性及び表面化学組成の解析

等离子体刻蚀Pr1-xCaxMnO3薄膜电性能及表面化学成分分析

• 发表时间: 2012
• 作者: 石田拓也;高橋和生;中村敏浩
• 通讯作者: 中村敏浩